黄长虹
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 符合多普勒展宽谱的源修正研究
- 2005年
- 测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- Y型沸石分子筛中CdSe半导体团簇的热稳定性研究
- 通过离子交换的方法在Y型沸石分子筛中组装了CdSe半导体团簇,在不同的温度下处理后,利用正电子湮没寿命谱研究CdSe半导体团簇的热稳定性.正电子湮没寿命的测量结果表明,组装在沸石分子筛笼内的CdSe半导体团簇在250℃左...
- 黄长虹马莉王少阶
- 关键词：沸石分子筛CDSE热稳定性离子交换正电子湮没寿命谱
- 文献传递网络资源链接
- CDB的源修正
- 本文测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度.并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响.文章中用高斯-抛物线模型拟合...
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 文献传递
- Y型沸石分子筛中CdSe半导体团簇的热稳定性研究
- 通过离子交换的方法在Y型沸石分子筛中组装了CdSe半导体团簇,在不同的温度下处理后,利用正电子湮没寿命谱研究CdSe半导体团簇的热稳定性。正电子湮没寿命的测量结果表明,组装在沸石分子筛笼内的CdSe半导体团簇在250℃左...
- 黄长虹马莉王少阶
- 文献传递
- CdSe半导体纳米团簇在Y型沸石中的制备及其研究
- 2005年
- 利用沸石分子筛中规则的孔洞,制备了CdSe半导体纳米团簇样品。正电子湮没寿命谱及高分辨透射电子显微镜表明CdSe团簇生长在沸石的笼内以及沸石的表面,随着CdSe在沸石分子筛中质量比的增加,CdSe更多的聚集在沸石的表面。
- 黄长虹朱玉婵马莉王建波王少阶
- 关键词：沸石分子筛正电子湮没高分辨透射电镜
- 用符合多普勒展宽谱研究Y型沸石中CdSe纳米团簇
- 沸石分子筛是一种具有规则纳米孔洞的硅酸盐材料,利用它们的规则孔洞作为反应器,可以制备出具有均匀性、单相性和稳定性好的半导体纳米团簇,并可以形成高密度的三维量子超晶格结构。这种制备团簇的方法简便、成本低、实验条件易控制,团...
- 马莉黄长虹王少阶
- 文献传递
- 慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模拟
- 2003年
- 建立了慢正电子束注入多孔硅材料的MonteCarlo模型 ,研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响 ,得到了相应的正电子深度分布曲线 .同时分析了不同能量正电子平均注入深度的分布 ,通过适当的标度 ,得到了统一描述正电子分布的公式 ,为慢正电子束对多孔材料的实验和理论研究提供有用的数据和计算模型 .
- 梁波马莉黄长虹
- 关键词：慢正电子束MONTECARLO模拟
- 用正电子湮没技术研究镁铝合金中的缺陷
- 本文用正电子符合多普勒展宽技术研究了AA5754合金(Al-3.0％Mg合金)中的微观缺陷,通过实验及分析得到,淬火后有空位-Mg原子复合体形成,360℃淬火的样品有Mg的偏析,并形成Mg的团簇,由于Mg原子对正电子的吸...
- 朱玉婵黄长虹马莉王晓伟
- 关键词：镁铝合金正电子湮没空位偏析
- 文献传递网络资源链接
- Y型沸石分子筛中Cdse半导体纳米团簇的制备及透射电镜的研究
- 2004年
- 采用离子交换法,以Y型沸石分子筛为基底,组装了CdSe纳米团簇。利用高分辨的透射电子显微镜考察了纳米团簇的分布、生长位置、粒径大小及形貌等。观察到排成周期阵列的量子点CdSe纳米团簇,量子点团簇相互连接形成超团簇颗粒。
- 马莉黄长虹王建波王少阶
- 关键词：纳米团簇离子交换法透射电子显微镜
- CDB的源修正
- 我们测量了Ti、Ni、Cu、Al以及Si的符合多普勒展宽谱,对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合出其中的源湮没强度。并给出了Si的多普勒展宽谱在源修正前后的商谱曲线,讨论了源成分的影响。文章中用高斯.抛物线模型拟合...
- 苏本法王柱黄长虹王少阶
- 关键词：正电子湮没最小二乘法
- 文献传递
