田力
- 作品数：7 被引量：9H指数：2
- 供职机构：吉首大学更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金湖南省大学生研究性学习与创新性实验计划项目湖南省科技厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术经济管理电子电信更多>>
- ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响被引量：3
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。
- 田力陈姗蒋马蹄廉淑华杨世江唐世洪
- 关键词：磁控溅射法透明导电薄膜
- 锂掺杂三氧化钨薄膜结构与色变性能的研究
- 2010年
- 三氧化钨是电致变色材料中最具特色的一种物质,为了满足实际应用的需要,常通过掺杂来改进三氧化钨电致变色薄膜的性能.本实验采用高氯酸锂作为掺杂剂进行锂掺杂,实验结果表明:进行锂掺杂后,薄膜的结构、色变响应性能得到了很大的提升.最后通过实验进行比较,得出了该方法中锂掺杂的最佳量.
- 麻顺华田力唐世洪
- 关键词：电致变色掺杂量正交实验法
- 基层商业银行会计信息质量评价研究
- 文章从会计信息质量评价的研究背景和意义开始，通过梳理国内外研究现状来把握逻辑思路，确定研究的技术路线和方法，明确研究的主要内容和要解决的问题。本论文以委托代理理论、利益相关者理论和决算有用论为研究基础，阐述了会计信息质量...
- 田力
- 关键词：商业银行会计信息指标体系
- 磁控溅射技术制备Al_2O_3掺杂ZnO透明导电膜的性能
- 2011年
- 以纯度为99.9%的98%(质量分数)ZnO、2%(质量分数)Al_2O_3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10^(-1)Ω·cm。
- 田力唐世洪
- 关键词：ZNO磁控溅射法衬底温度退火工艺
- 基于正交实验法的WO_3电致变色薄膜Li掺杂分析被引量：1
- 2009年
- 单一纯净的WO3电致变色薄膜的性能已经不能满足实际应用的需要,通过掺杂对薄膜性能进行提升已经成为WO3电致变色薄膜研究领域的一个重要环节.笔者采用乙酸锂作为Li源进行Li掺杂,分析表明:Li掺杂后的WO3薄膜性能得到了很大的提升,并对正交实验法的Li掺杂量进行了讨论.
- 麻顺华田力唐世洪
- 关键词：正交实验法WO3薄膜电致变色
- 磁控溅射技术制备Al2O3掺杂ZnO透明导电膜的薄膜性能研究
- 氧化锌(ZnO)薄膜是一种直接宽禁带(3.3eV)半导体材料,由于其在结构、电学和光学等方面的诸多优点,被广泛的应用于光电器件上。ZnO:Al(AZO)薄膜相对于ITO薄膜具有更低的电阻率和更高的可见光透过率,因而有望成...
- 田力
- 关键词：磁控溅射技术氧化锌薄膜三氧化二铝形貌结构光电性能退火工艺
- 文献传递
- 衬底温度对Al_2O_3掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响被引量：5
- 2011年
- 以纯度为99.9%的陶瓷靶(w(ZnO)=98%,w(Al2O3)=2%)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响。结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著。衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85%,电阻率为2.67×10–3.cm。
- 田力陈姗蒋马蹄廉淑华唐世洪
- 关键词：AZO磁控溅射法衬底温度透明导电薄膜
