廉淑华
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：吉首大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：湖南省大学生研究性学习与创新性实验计划项目湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响被引量：3
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%～87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。
- 田力陈姗蒋马蹄廉淑华杨世江唐世洪
- 关键词：磁控溅射法透明导电薄膜
- 衬底温度对Al_2O_3掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响被引量：5
- 2011年
- 以纯度为99.9%的陶瓷靶(w(ZnO)=98%,w(Al2O3)=2%)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响。结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著。衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85%,电阻率为2.67×10–3.cm。
- 田力陈姗蒋马蹄廉淑华唐世洪
- 关键词：AZO磁控溅射法衬底温度透明导电薄膜
