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杨世江

作品数:1 被引量:3H指数:1
供职机构:吉首大学物理与机电工程学院更多>>
发文基金:湖南省大学生研究性学习与创新性实验计划项目湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导电薄膜
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇透明导电膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇ZNO
  • 1篇AL
  • 1篇AZO
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 1篇吉首大学

作者

  • 1篇田力
  • 1篇唐世洪
  • 1篇杨世江
  • 1篇廉淑华
  • 1篇蒋马蹄
  • 1篇陈姗

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
ZnO和Al_2O_3缓冲层对AZO透明导电膜薄膜性能的影响被引量:3
2012年
采用射频磁控溅射法,以纯度为99.9%,质量分数98%ZnO、2%Al2O3陶瓷靶为溅射靶材,在预先沉积了ZnO和Al2O3的玻璃衬底上制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜。研究并对比了两种不同的缓冲层对ZnO∶Al(AZO)薄膜的微观结构和光电性能的影响。并借助X线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱仪(UV-Vis)等方法测试和分析了不同缓冲层,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能的影响。结果表明:加入缓冲层后,在衬底温度为200℃时,溅射30min,负偏压为60V、在氮气气氛下经300℃退火处理后,制得薄膜的可见光透过率为83%~87%,AZO薄膜的最低电阻率,从9.2×10-4Ω.cm(玻璃)分别下降到8.0×10-4Ω.cm(ZnO)和5.4×10-4Ω.cm(Al2O3)。
田力陈姗蒋马蹄廉淑华杨世江唐世洪
关键词:磁控溅射法透明导电薄膜
共1页<1>
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