胡贵州
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 原位生长介质层MIS-HEMT器件的研究
- GaN基HEMT器件在高频和高功率应用上展示了非常好的特性,但是AlGaN//GaN异质结HEMT器件仍然存在栅泄漏电流较大和电流崩塌效应等问题。为了有效的减小栅泄漏电流和抑制电流崩塌效应,本文重点研究了MIS-HEMT...
- 胡贵州
- 关键词：电流崩塌
- 文献传递
- Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响被引量：1
- 2009年
- 在蓝宝石衬底上采用原子层淀积法制作了三种不同Al2O3介质层厚度的绝缘栅高电子迁移率晶体管.通过对三种器件的栅电容、栅泄漏电流、输出和转移特性的测试表明:随着Al2O3介质层厚度的增加,器件的栅控能力逐渐减弱,但是其栅泄漏电流明显降低,击穿电压相应提高.通过分析认为薄的绝缘层能够提供大的栅电容,因此其阈值电压较小,但是绝缘性能较差,并不能很好地抑制栅电流的泄漏;其次随着介质厚度的增加,可以对栅极施加更高的正偏压,因此获得了更高的最大饱和电流.另外,对三种器件的C-V与跨导特性的深入分析证明了较厚的Al2O3层拥有更好的介质质量与钝化效果.
- 毕志伟冯倩郝跃岳远征张忠芬毛维杨丽媛胡贵州
- 关键词：AL2O3钝化
