苟鸿雁
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及制备方法
- 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合于闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以P型(100)晶向的硅片为衬底，自下而上依次为：Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，作为电荷隧...
- 丁士进苟鸿雁张卫
- 文献传递
- 原子层淀积Al_2O_3薄膜表面自组装Au纳米颗粒及其热稳定性
- 2009年
- 在原子层淀积的Al_2O_3薄膜表面自组装生长Au纳米颗粒,研究了Au纳米颗粒的自组装过程和热稳定性.结果表明,原子层淀积的Al_2O_3薄膜表面很容易吸附氨丙基三甲基硅烷(APTMS),有利于Au纳米颗粒的自组装,生长出的Au纳米颗粒尺寸为5—8 nm,密度约为4×10^(11)cm^(-2).在300℃氮气中退火使Au纳米颗粒的尺寸增大,但是没有改变APTMS的吸附状态和Au的化学组成.当退火温度提高到450℃时,Au纳米颗粒发生明显的团聚,且分布变得极不均匀.
- 黄玥廖忠伟苟鸿雁丁士进张卫
- 关键词：金属材料热稳定性
- 基于SiO2/HfO2/A2lO3隧穿层的Co纳米晶存储电容研究
- 本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子流动的特性来形成Co纳米晶。SiO2/H...
- 黄玥苟鸿雁丁士进
- 关键词：纳米晶金属氧化物半导体
- 文献传递
- 一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法
- 本发明涉及一种低压可擦写的纳米晶存储电容结构及其制备方法。一种低压可擦写的纳米晶存储电容，以P型单晶硅片为衬底层，其上依序有：1)用原子层淀积的方法生长的Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/HfO<S...
- 丁士进廖忠伟苟鸿雁张卫
- 文献传递
- 一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及制备方法
- 本发明涉及一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以晶向为100的P型单晶硅片为衬底，自下而上依次为：Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，作为电荷隧穿层；钌基RuO<Sub>...
- 丁士进苟鸿雁张卫
- 基于Ru-RuO_x纳米晶及高K介质的MOS结构存储效应及机理研究
- 随着半导体工艺技术的不断发展，非挥发性快闪存储器集成密度要求越来越高,存储单元特征尺寸需要不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪存储器正面临着严峻的挑战,如隧穿氧化层的减薄导致数据保存能力退化等。而基于分离电荷存储的非挥发性...
- 苟鸿雁
- 关键词：非挥发性存储器原子层淀积高介电常数金属纳米晶
- 文献传递
- 一种混合纳米晶存储器的电容结构及其制备方法
- 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种纳米晶体存储器的电容及其制备方法。该电容器以P型单晶硅为衬底，其上依次为Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>隧穿层、钌和氧化钌混合纳米晶、Al<Sub>2...
- 丁士进苟鸿雁
- 文献传递
- 基于钌纳米晶和Al2O3介质的MOS存储效应
- 采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AFM）和透射电子显微镜（TEM）对样...
- 苟鸿雁丁士进
- 关键词：金属氧化物半导体
- 文献传递
- 一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及制备方法
- 本发明涉及一种适合于半导体闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以晶向为100的P型单晶硅片为衬底，自下而上依次为：Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，作为电荷隧穿层；钌基RuO<Sub>...
- 丁士进苟鸿雁张卫
- 文献传递
- 基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
- 2010年
- 采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20s能得到分布均匀的、密度为3·0×1011cm-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2·01V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.
- 黄玥苟鸿雁廖忠伟孙清清张卫丁士进
- 关键词：快速热退火原子层淀积
