葛惟琨
- 作品数:4 被引量:8H指数:1
- 供职机构:香港科技大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>
- GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量:8
- 2003年
- 用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
- 罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨
- 关键词:单量子阱砷化镓分子束外延生长
- GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化(英文)
- 2002年
- 我们利用光荧光 (PL)以及时间分辨光谱 (TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现 ,在低温下用连续光 (CW)激发 ,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下 ,情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外 ,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究 ,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S”
- 罗向东徐仲英葛惟琨
- 关键词:GAAS砷化镓光谱学
- 超细0.4nm直径单壁碳管的光学特性(英文)
- 2002年
- 由于纳米碳管的优异机械特性及其丰富多采的光学和电学特性,它自1991年被发现以来一直受到科学家的青睐。纳米碳管研究已成为当今世界上发展最迅速,竞争最激烈的科学前沿领域之一。怎样才能把纳米碳管做得更细小,尺寸更均匀以及如何使众多的纳米碳管排列规整,一直是纳米碳管研究中的难题。我们利用多孔的沸石晶体作为载体,首次成功地研制出了尺寸均一,排列规整的超细单壁纳米碳管。这些超细纳米碳管具有独特的性能,低温下(<20K)甚至呈现出前所未有的一维超导现象。详细介绍了这些超细单壁纳米碳管的制备过程,并着重介绍其在可见光区的光吸收,光发射以及二次谐波的倍频特性。
- 汤子康李赵明萧旭东葛惟琨
- 关键词:碳纳米管光学特性光致发光
- GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
- 1999年
- 用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层,可以有效地改变量子阱的激子能量,从而达到波长调谐的目的.激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度,并和InAs层厚度有关.利用有效质量近似,计算给出了能量调谐曲线,结果与实验符合较好.本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法.
- 徐仲英王建农王玉琪葛惟琨李晴李树深
- 关键词:砷化镓MBE