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葛惟琨

作品数:4 被引量:8H指数:1
供职机构:香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇砷化镓
  • 2篇化合物
  • 2篇GAAS
  • 1篇单量子阱
  • 1篇氮化合物
  • 1篇调谐
  • 1篇英文
  • 1篇直径
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇锑化合物
  • 1篇谱学
  • 1篇量子
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇激子
  • 1篇激子能量
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱学
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性

机构

  • 4篇香港科技大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 4篇葛惟琨
  • 3篇徐仲英
  • 2篇罗向东
  • 2篇王建农
  • 1篇李树深
  • 1篇萧旭东
  • 1篇罗海林
  • 1篇汤子康
  • 1篇李晴
  • 1篇李赵明
  • 1篇王玉琦
  • 1篇边历峰
  • 1篇王玉琪

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇1999
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量:8
2003年
用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移 ,也随激发光能量的增加而蓝移 ,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间 ,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释 ,这也是空间间接跃迁的典型特性 .还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb GaAs能带排列的Ⅱ类特性 ,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb GaAs异质结的带阶系数 .
罗向东边历峰徐仲英罗海林王玉琦王建农葛惟琨
关键词:单量子阱砷化镓分子束外延生长
GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化(英文)
2002年
我们利用光荧光 (PL)以及时间分辨光谱 (TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现 ,在低温下用连续光 (CW)激发 ,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下 ,情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外 ,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究 ,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S”
罗向东徐仲英葛惟琨
关键词:GAAS砷化镓光谱学
超细0.4nm直径单壁碳管的光学特性(英文)
2002年
由于纳米碳管的优异机械特性及其丰富多采的光学和电学特性,它自1991年被发现以来一直受到科学家的青睐。纳米碳管研究已成为当今世界上发展最迅速,竞争最激烈的科学前沿领域之一。怎样才能把纳米碳管做得更细小,尺寸更均匀以及如何使众多的纳米碳管排列规整,一直是纳米碳管研究中的难题。我们利用多孔的沸石晶体作为载体,首次成功地研制出了尺寸均一,排列规整的超细单壁纳米碳管。这些超细纳米碳管具有独特的性能,低温下(<20K)甚至呈现出前所未有的一维超导现象。详细介绍了这些超细单壁纳米碳管的制备过程,并着重介绍其在可见光区的光吸收,光发射以及二次谐波的倍频特性。
汤子康李赵明萧旭东葛惟琨
关键词:碳纳米管光学特性光致发光
GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
1999年
用分子束外延技术(MBE)在GaAs量子阱中嵌入InAs亚单层,可以有效地改变量子阱的激子能量,从而达到波长调谐的目的.激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度,并和InAs层厚度有关.利用有效质量近似,计算给出了能量调谐曲线,结果与实验符合较好.本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法.
徐仲英王建农王玉琪葛惟琨李晴李树深
关键词:砷化镓MBE
共1页<1>
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