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袁凯

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电路
  • 1篇数据总线
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型集成电...
  • 1篇驱动器
  • 1篇总线
  • 1篇离子注入
  • 1篇埋层
  • 1篇抗辐射
  • 1篇集成电路
  • 1篇高浓度
  • 1篇硅
  • 1篇砷
  • 1篇CMOS电路

机构

  • 3篇电子工业部

作者

  • 3篇袁凯
  • 2篇陆剑侠
  • 2篇张沈军
  • 1篇李正孝
  • 1篇樊崇德
  • 1篇许仲德

传媒

  • 3篇微处理机

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1992
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高浓度离子注入砷隐埋层技术
1996年
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平的“DYL多元逻辑八位高速机频D／A转换器”集成电路。
樊崇德陆剑侠张沈军陶星袁凯
关键词：离子注入双极型集成电路砷集成电路
抗辐射体硅CMOS工艺技术研究
1996年
论述和分析了在抗辐射体硅CMOSI艺制造过程中，栅介质种类、栅氧化层厚度的选择以及氧化层的厚度与半导体器件抗辐射能力的关系。
陆剑侠李正孝张沈军许仲德陶星袁凯
关键词：CMOS电路硅
L54HCT244八位数据(三态)总线缓冲/驱动器的研制
1992年
54HCT244是八位三态数据总线缓冲器/驱动器,适用于数据总线之间的异步通信。具有大的驱动电流能力,具有CMOS集成电路低功耗和高噪声容限的特性,与TTL输出兼容,工作速度可与LST—TL电路相比。本文对该器件的电路、逻辑进行了分析,对于该器件与TTL兼容问题作了较为详尽的探讨,并探讨了作为宽温区I类电路在设计和工艺上应注意的问题。
袁凯
关键词：数据总线驱动器
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