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袁媛

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇封装
  • 7篇电镀
  • 5篇焊料
  • 4篇低温键合
  • 4篇微电子
  • 4篇键合
  • 4篇光刻
  • 4篇铟
  • 3篇凸点
  • 3篇SN-AG
  • 2篇倒扣
  • 2篇电镀工艺
  • 2篇电子封装
  • 2篇镀银
  • 2篇镀银层
  • 2篇短接
  • 2篇钝化层
  • 2篇多层互连
  • 2篇圆片
  • 2篇圆片级

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇罗乐
  • 17篇袁媛
  • 15篇徐高卫
  • 4篇黄秋平
  • 4篇汤佳杰
  • 4篇陈骁
  • 3篇王栋良
  • 2篇徐高尉
  • 2篇曹毓涵

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 7篇2011
  • 3篇2010
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法
本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
文献传递
封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法
本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆...
陈骁罗乐徐高卫袁媛
采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺
本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装...
陈骁罗乐徐高卫袁媛
文献传递
一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法
本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
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凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法
本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点...
曹毓涵罗乐徐高卫袁媛
文献传递
使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法
本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
一种基于铟凸点的无助焊剂回流工艺方法
本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特...
黄秋平罗乐徐高尉袁媛
文献传递
凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法
本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点...
曹毓涵罗乐徐高卫袁媛
使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法
本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
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一种基于铟凸点的无助焊剂回流工艺方法
本发明涉及一种基于铟凸点的无助焊剂回流的工艺方法，其特征在于包括基板金属化、钝化层开口、凸点下金属化层增厚、电镀铟凸点、电镀银层包覆铟凸点、凸点回流。采用本发明提供的工艺可实现铟凸点阵列的无助焊回流，该工艺可应用于某些特...
黄秋平罗乐徐高尉袁媛
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