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赵夕彬

作品数：26 被引量：66H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信

主题

  • 14篇功率放大
  • 12篇功率放大器
  • 12篇放大器
  • 6篇电路
  • 5篇内匹配
  • 5篇功率
  • 4篇脉冲功率
  • 4篇脉冲功率放大...
  • 4篇集成电路
  • 3篇单片
  • 3篇调制
  • 3篇压型
  • 3篇压装
  • 3篇压装机
  • 3篇阻抗变换
  • 3篇微波
  • 3篇小型化
  • 3篇绝缘
  • 3篇绝缘子
  • 3篇功率放大模块

机构

  • 23篇中国电子科技...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇石家庄铁道大...
  • 1篇江苏省江阴中...

作者

  • 25篇赵夕彬
  • 8篇吴家锋
  • 5篇银军
  • 3篇白凤娟
  • 3篇黄雒光
  • 2篇段雪
  • 2篇徐守利
  • 2篇王晓会
  • 1篇高国
  • 1篇于海鹰
  • 1篇胡小玲
  • 1篇李增路
  • 1篇徐萍萍
  • 1篇王林
  • 1篇倪涛
  • 1篇默江辉
  • 1篇崔玉兴
  • 1篇左新法
  • 1篇阮颖
  • 1篇李玉茹

传媒

  • 12篇半导体技术
  • 1篇无线电工程
  • 1篇微波学报
  • 1篇舰船电子对抗
  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇2003全国...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 3篇2003
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
直压型微波绝缘子压装机
本发明公开了一种直压型微波绝缘子压装机，包括底座、导柱、导套和用于将微波绝缘子压入盒体上的安装孔内的垂直压接机构,所述导套与导柱滑动配合,所述导套侧壁上设有顶丝,所述导柱固定设于底座上表面上,所述导套侧壁上水平固定设有顶...
赵夕彬白凤娟李泊
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微波功率管自锁紧测试夹具
本实用新型公开了一种微波功率管自锁紧测试夹具,涉及功率因数测量装置技术领域。它的铝合金基座上开有测试槽；压块的一端与铝合金基座铰接，且铰接轴套接有压块的A复位扭簧；压块的另一端安装有固定锁舌；铝合金基座与固定锁舌对应的位...
赵夕彬 吴家峰 张贞鹏王晓会
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微波功率管自锁紧测试夹具
本发明公开了一种微波功率管自锁紧测试夹具,涉及功率因数测量装置技术领域。它的铝合金基座上开有测试槽；压块的一端与铝合金基座铰接，且铰接轴套接有压块的A复位扭簧；压块的另一端安装有固定锁舌；铝合金基座与固定锁舌对应的位置销...
赵夕彬吴家峰张贞鹏王晓会
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高可靠GaN内匹配功率器件降额研究被引量：3
2022年
基于功率放大器的动态负载线理论,参照Si和GaAs功率器件的降额准则,总结工程应用经验得到了GaN功率器件不同等级的电压降额系数,即I级、II级、III级降额时击穿电压应分别大于工作电压的3.14倍、2.75倍、2.44倍。通过GaN功率器件可靠性试验数据预估了器件在正常工作条件下的平均失效时间(MTTF),并参考多家半导体厂家关于GaN器件结温与可靠性关系的统计数据,得出了GaN功率器件不同等级的结温降额数值,即I级、II级、III级降额结温分别为135~140、160和180℃,降额系数分别为0.6~0.62、0.71和0.8。选用一款X波段20 W GaN内匹配功率器件进行验证,在提出的I级降额条件下,该器件已安全工作超18000 h。提出的降额条件对GaN功率器件的设计和应用具有一定的指导意义。
吴家锋赵夕彬徐守利陈鹏银军默江辉
关键词：击穿电压结温
P波段3kW GaN功率器件的研制被引量：3
2021年
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。
高永辉徐守利银军赵夕彬陈欣华黄雒光崔玉兴
关键词：内匹配高功率P波段
高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术被引量：6
2018年
采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm Ga N芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配Ga N功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 d Bm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。
李晶倪涛吴景峰赵夕彬王毅
关键词：功率放大模块小型化
星载功率放大器相位抖动问题研究被引量：2
2021年
针对合成孔径雷达(SAR)双星成像时对相位差要求较高的现状,文中从微波传输线理论入手分析了影响功率放大器相位变化的因素,从工程力学角度入手对材料应力应变的状态进行了理论分析,利用应力分析软件进行仿真分析了功率器件管壳引线、SMA接头引线在不同温度条件下的应力及应变,利用电磁场仿真软件分析了材料应变造成的接地不连续和传输线瞬态阻抗变化对发射相位的影响,得出了传统结构形式的放大器可能存在相位抖动的固有特性,通过温度循环试验进行了验证,最后针对相位抖动现象给出了改进措施。这些措施可在星载功率放大器的设计中进行推广。
武小坡吴家锋赵海洋赵夕彬
关键词：星载功率放大器相位抖动应力应变
功率器件制备方法
本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
文献传递
8kW高功率单刀四掷射频开关被引量：3
2015年
介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。
吴家锋吴程赵夕彬
关键词：PIN二极管峰值功率隔离度转换时间
固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究被引量：12
2009年
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。
赵夕彬
关键词：脉冲功率放大器调制电路
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