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快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质: 2012年; 超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义。通过研究400～550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系。在开始阶段,氧化锗具有高的生长速率;当氧化锗厚度达到一定值(与温度相关)时,氧化速率变慢,与Deal-Grove氧化模型中的线性生长速率基本一致。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明氧化锗中存在不同价态的Ge,且随着氧化时间的增加,氧化锗的氧化程度逐渐提高。在550℃下氧化180 s形成的氧化锗用于Ge-MOS结构,C-V特性表明在禁带中央处获得了较小的界面态密度,达到1.7×1012 cm-2eV-1。; 路长宝刘冠洲李成赖虹凯陈松岩; 关键词：锗氧化速率界面态 X射线光电子能谱

起落氧化锗制备、性质及退火对HfO2/GeO2/Ge MOS结构的影响: 随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限，具有高迁移，且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表面本征氧化层稳定性差，采用高介电常数(高k)介质栅往往会在界面引入高的界面态密度，成为影响器...; 路长宝; 关键词：氧化锗电学特性; 文献传递

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路长宝