郭英杰
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院辐射物理及技术教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术医药卫生化学工程更多>>
- 聚丁二炔变色剂量功能性研究
- 以类丁二炔化合物为有机变色材料,添加协同剂,研制了辐射变色膜。类丁二炔化合物体系的辐射变色膜用剂量范围在1～30Gy的γ辐照,结果:剂量范围在5～30Gy薄膜颜色由白色渐变为蓝色,且随着辐照剂量的增加,颜色深度亦递增,分...
- 郭英杰蒋波何捷陈家胜苏锐万渝平
- 关键词：复合材料薄膜Γ辐照剂量计
- 文献传递
- 镁铝尖晶石透明陶瓷辐照缺陷的热释光研究
- 镁铝尖晶石透明陶瓷以其具有良好的光学透过率和机械性能而成为红外系统和聚变系统窗口的最佳候选材料,了解其辐照后缺陷状态分布是非常必要的。而材料热释光的峰值与陷阱深度有关,可以通过材料热释光曲线了解固体中陷阱状态分布的确切信...
- 王玲珑郭英杰刘强王晓中何捷张雷林理彬
- 关键词：热释光电子辐照
- 文献传递
- 辐射变色薄膜的质子辐照响应
- 2011年
- 用J-2.5质子静电加速器提供的质子束,对研制的一种高灵敏度新型辐射变色膜进行质子辐射响应研究。该变色膜以聚乙烯醇缩聚物为基质,以类丁二炔化合物为有机染色材料,质子能量为2.0 MeV,辐照注量为1.0×10^10-1.0×10^12cm^-2。用光谱响应测试薄膜的辐射效应显示：变色薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,并随着辐照剂量的增加而逐渐加深;用图像分析仪分析辐照后靶材的光密度发现,图像的光密度随聚焦斑距离的增大而减小;用分光光度计测试其吸收光谱发现,主吸收峰值出现在660 nm附近,且吸收峰处的响应吸光度与质子注量具有较好的线性关系;对新型变色薄膜辐照后持续效应的研究表明,变色膜辐照后续效应微弱,辐照后可以立即测量,且对测量环境变化不敏感。
- 郭英杰蒋波何捷陈家胜万渝平苏锐
- 关键词：质子辐照
- VO_2(A)型薄膜表面形貌与相变性能的相关性被引量：2
- 2011年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%)为原料,采用真空蒸发——还原工艺制备出VO2(A)型薄膜(A表示发生热致相变的薄膜)。讨论退火温度对VO2(A)型薄膜表面形貌的影响,并进一步研究表面形貌与薄膜光电性质的相关性。结果显示:当退火温度从500℃升高到540℃,VO2(A)型薄膜中层状特征减弱并消失,山峰状颗粒出现并增大,当退火温度继续升高,VO2(A)型薄膜中山峰状颗粒是先减小再增大,但是其尺寸趋于一致,约为50nm;随着VO2(A)型薄膜形貌的改变,相变温度点、数量级、热滞回线宽度等相变性能参数也会改变;VO2(A)型薄膜相变温度点降低,其在所测波段的透过率会降低,但只有在中红外波段,薄膜在相变前后透过率的改变量与电阻变化的数量级有关。
- 郭英杰刘中华苏瑞陈家胜何捷
- 关键词：退火温度表面形貌
- 体心四方二氧化钛的电子结构和光学性质计算
- 采用完全势线性缀加平面波方法计算了金红石结构二氧化钛的电子结构。LDA(Local Density Approximation)计算得到二氧化钛的带隙约为1.85eV。为修正d电子的窄带关联效应对计算结果的影响,使用LD...
- 苏锐陈家胜郭英杰何捷
- 关键词：二氧化钛电子结构光电性质
- 文献传递
- 质子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷缺陷形成及其行为研究
- 镁铝尖晶石透明陶瓷不但具有良好的光学透过率和机械性能,而且还具有十分优良的电绝缘性能以及化学稳定性,它是一种理想的红外系统和聚变系统的窗口的材料,因此研究其辐照效应是非常必要的。本文以辐照的能量为7.5-18MeV,总注...
- 郭英杰刘强王晓中王玲珑何捷张雷林理彬
- 关键词：质子辐照F心
- 文献传递
- 金红石相VO_2电子结构与光电性质的第一性原理研究
- 2011年
- 采用完全势线性缀加平面波方法(FP-LAPW)结合密度泛函+U(DFT+U)模型计算了金红石相VO2的电子结构和光学性质.电子态密度计算结果表明所采用的方法可以较好的描述体系的导带电子结构.计算得到体系为导体,V—O键主要由O原子的2p轨道与V原子的3d轨道杂化形成,外加光场垂直和平行于c轴时体系的等离子振荡频率为3.44eV和2.74eV,光电导率在0—1eV之间有一个与带内跃迁有关的德鲁德峰,而大于1eV的光电导率主要由电子带间跃迁产生,得到并分析了带内跃迁过程和带间跃迁过程各自对反射谱和电子能量损失谱的贡献.
- 苏锐何捷陈家胜郭英杰
- 关键词：光电性质电子结构VO2
- 单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究
- 2010年
- 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。
- 王晓中何捷刘强宋婷婷王玲珑郭英杰林理彬
- 关键词：光电性质二氧化钒
- 退火温度对VO_X薄膜结构及光学性质的影响被引量：1
- 2009年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量百分比)为原料,采用真空蒸发--还原工艺,在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪,X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析,得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示:V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原,退火温度为450℃时,V4+含量最高,结晶最好,500℃时,薄膜组分表现出逆退火现象,温度进一步升高,钒再次被还原。
- 张雷何捷王玲珑刘强王晓中郭英杰
- 关键词：真空蒸镀退火温度禁带宽度
- 1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究
- 2010年
- 本文以能量为1．0MeV的电子束辐照VO2（B）薄膜，对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算，同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试，分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱（280-880nm）的影响。结果显示：电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应，电子辐照使薄膜的表面晶粒细化，辐照后薄膜光谱的吸收峰位发生移动，其移动的最大位移达到21nm，辐照后薄膜的光学禁带宽度也有所增加。
- 王玲珑孟庆凯何捷郭英杰苏瑞陈家胜
- 关键词：光谱
