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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇电子辐照
  • 1篇电性质
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇色心
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇热释光
  • 1篇禁带
  • 1篇禁带宽度
  • 1篇光电性质
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇二氧化钒
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇VO
  • 1篇F心

机构

  • 5篇四川大学

作者

  • 5篇郭英杰
  • 5篇何捷
  • 5篇王玲珑
  • 4篇王晓中
  • 3篇林理彬
  • 2篇张雷
  • 2篇刘强
  • 2篇刘强
  • 1篇张雷
  • 1篇陈家胜
  • 1篇孟庆凯
  • 1篇宋婷婷
  • 1篇苏瑞

传媒

  • 2篇光散射学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇第十届全国固...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
质子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷缺陷形成及其行为研究
镁铝尖晶石透明陶瓷不但具有良好的光学透过率和机械性能,而且还具有十分优良的电绝缘性能以及化学稳定性,它是一种理想的红外系统和聚变系统的窗口的材料,因此研究其辐照效应是非常必要的。本文以辐照的能量为7.5-18MeV,总注...
郭英杰刘强王晓中王玲珑何捷张雷林理彬
关键词:质子辐照F心
文献传递
单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究
2010年
采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5~13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。
王晓中何捷刘强宋婷婷王玲珑郭英杰林理彬
关键词:光电性质二氧化钒
镁铝尖晶石透明陶瓷辐照缺陷的热释光研究
镁铝尖晶石透明陶瓷以其具有良好的光学透过率和机械性能而成为红外系统和聚变系统窗口的最佳候选材料,了解其辐照后缺陷状态分布是非常必要的。而材料热释光的峰值与陷阱深度有关,可以通过材料热释光曲线了解固体中陷阱状态分布的确切信...
王玲珑郭英杰刘强王晓中何捷张雷林理彬
关键词:热释光电子辐照
文献传递
退火温度对VO_X薄膜结构及光学性质的影响被引量:1
2009年
以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量百分比)为原料,采用真空蒸发--还原工艺,在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪,X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析,得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示:V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原,退火温度为450℃时,V4+含量最高,结晶最好,500℃时,薄膜组分表现出逆退火现象,温度进一步升高,钒再次被还原。
张雷何捷王玲珑刘强王晓中郭英杰
关键词:真空蒸镀退火温度禁带宽度
1.0 MeV电子辐照致VO_2(B)薄膜结构与光谱改变研究
2010年
本文以能量为1.0MeV的电子束辐照VO2(B)薄膜,对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算,同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计对薄膜进行测试,分析了电子辐照对薄膜结构、形貌与紫外-可见光谱(280-880nm)的影响。结果显示:电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应,电子辐照使薄膜的表面晶粒细化,辐照后薄膜光谱的吸收峰位发生移动,其移动的最大位移达到21nm,辐照后薄膜的光学禁带宽度也有所增加。
王玲珑孟庆凯何捷郭英杰苏瑞陈家胜
关键词:光谱
共1页<1>
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