郭进进
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省博士后创新项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- β-Ga2O3薄膜及其复合薄膜的激光分子束外延法制备及性能研究
- 随着科学技术的发展和社会的进步,氧化镓作为直接带隙宽禁带半导体材料(其禁带宽度约4.9 eV)可制备出优良的深紫外透明导电薄膜,它在高温氧气传感器、紫外探测器、光电器件的透明电极等方面有着越来越广泛的应用.自从进入21世...
- 郭进进
- 关键词：激光分子束外延荧光光谱禁带宽度半导体材料
- 溅射时间对脉冲激光沉积制备β-FeSi_2薄膜的影响
- 2011年
- 本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法及热退火处理方式,利用输出波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光器在P型Si(100)衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)分析技术,研究了β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量和表面形貌。结果发现,在其他相同沉积条件下,随着溅射时间的增加,薄膜晶化程度、颗粒大小和形状、表面粗糙度都发生规律性变化,通过分析比较得出,在本实验条件下溅射时间为40 min制备的β-FeSi2薄膜结晶质量较好。
- 马玉英刘爱华刘玫许士才侯娟郭进进
- ZnO纳米晶须的形态控制及其结构表征
- 2012年
- 采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的成分、微结构和形貌进行了表征。Zn薄膜在高温下被氧化,并为晶体生长提供均匀的成核点,有利于形成一定大小和数量的ZnO晶核。研究结果表明,氧气体积流量和生长温度对ZnO纳米晶须的形貌有一定的影响。
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- 关键词：生长温度热蒸发法
- LMBE法异质外延β-Ga_2O_3薄膜及其紫外和发光特性的研究被引量：3
- 2012年
- 采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底上异质外延β-Ga2O3薄膜。研究了氧分压对薄膜表面结构和结晶程度的影响,结果表明β-Ga2O3薄膜的均方根粗糙度和X射线衍射谱峰的半高宽随着氧分压的减小呈现先减小后增大的趋势。并对氧分压为10-2 Pa条件下的薄膜进行了光致发光谱、紫外透射谱、禁带宽度变化和拉曼谱的研究,结果显示β-Ga2O3薄膜的带隙随氧分压的减小而不断增大,β-Ga2O3薄膜具有蓝光发光和深紫外高透射特性,是用于光电器件特别是紫外特性氧敏传感器的最佳材料之一。
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- 关键词：氧分压光致发光禁带宽度
- 脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜
- 2011年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。
- 马玉英刘爱华许士才郭进进侯娟满宝元
