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侯娟

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:山东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省博士后创新项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术语言文字更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇FESI
  • 1篇导体
  • 1篇学案
  • 1篇学法
  • 1篇氧分压
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米结...
  • 1篇英语
  • 1篇英语写作
  • 1篇英语写作教学
  • 1篇生长温度
  • 1篇体裁
  • 1篇体裁教学
  • 1篇体裁教学法
  • 1篇气相
  • 1篇气相合成
  • 1篇热蒸发

机构

  • 6篇山东师范大学

作者

  • 6篇侯娟
  • 4篇刘爱华
  • 4篇郭进进
  • 3篇满宝元
  • 2篇马玉英
  • 2篇孔德敏
  • 2篇许士才
  • 2篇刘玫
  • 1篇姜守振
  • 1篇刘枚

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇山东科学
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
溅射时间对脉冲激光沉积制备β-FeSi_2薄膜的影响
2011年
本文基于脉冲激光沉积(PLD)方法及热退火处理方式,利用输出波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光器在P型Si(100)衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)分析技术,研究了β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量和表面形貌。结果发现,在其他相同沉积条件下,随着溅射时间的增加,薄膜晶化程度、颗粒大小和形状、表面粗糙度都发生规律性变化,通过分析比较得出,在本实验条件下溅射时间为40 min制备的β-FeSi2薄膜结晶质量较好。
马玉英刘爱华刘玫许士才侯娟郭进进
ZnO纳米晶须的形态控制及其结构表征
2012年
采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的成分、微结构和形貌进行了表征。Zn薄膜在高温下被氧化,并为晶体生长提供均匀的成核点,有利于形成一定大小和数量的ZnO晶核。研究结果表明,氧气体积流量和生长温度对ZnO纳米晶须的形貌有一定的影响。
侯娟刘爱华郭进进刘玫孔德敏满宝元
关键词:生长温度热蒸发法
LMBE法异质外延β-Ga_2O_3薄膜及其紫外和发光特性的研究被引量:3
2012年
采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底上异质外延β-Ga2O3薄膜。研究了氧分压对薄膜表面结构和结晶程度的影响,结果表明β-Ga2O3薄膜的均方根粗糙度和X射线衍射谱峰的半高宽随着氧分压的减小呈现先减小后增大的趋势。并对氧分压为10-2 Pa条件下的薄膜进行了光致发光谱、紫外透射谱、禁带宽度变化和拉曼谱的研究,结果显示β-Ga2O3薄膜的带隙随氧分压的减小而不断增大,β-Ga2O3薄膜具有蓝光发光和深紫外高透射特性,是用于光电器件特别是紫外特性氧敏传感器的最佳材料之一。
郭进进刘爱华满宝元刘枚姜守振侯娟孔德敏
关键词:氧分压光致发光禁带宽度
过程体裁教学法在初中英语写作教学中的应用研究
写作在英语教学和学习中的重要地位是有目共睹的。如何更好的进行英语写作教学,长久以来一直是英语教学工作者所关心和探讨的问题。近年来,人们开始意识到写作在人际交往中的重要性,写作研究有了很大进步。较为流行的是这样几种写作方法...
侯娟
关键词:过程体裁教学法结果教学法教学案例初中英语写作教学
氧化锌纳米结构的气相合成与表征
ZnO作为一种新型的II-VI族直接宽禁带半导体氧化物材料,与GaN的禁带宽度和晶格常数基本相同,吸引了很多人的目光.ZnO是一种良好的光电转换材料,也是目前已知的唯一具有半导体和压电体双重特征的材料,在微纳电子器件方面...
侯娟
关键词:氧化锌气相合成分子束外延
脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜
2011年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。
马玉英刘爱华许士才郭进进侯娟满宝元
共1页<1>
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