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陈燕凌

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电池
  • 2篇砷化镓
  • 2篇双氧水
  • 2篇太阳电池
  • 2篇柠檬
  • 2篇柠檬酸
  • 2篇化学腐蚀
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩光电二极...
  • 1篇入射
  • 1篇平面型
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇晶体管
  • 1篇光电
  • 1篇光电二极管
  • 1篇过渡层
  • 1篇二极管
  • 1篇浮栅
  • 1篇保护环

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇杨富华
  • 4篇陈燕凌
  • 3篇李越强
  • 3篇刘雯
  • 3篇王晓东
  • 1篇吴孟
  • 1篇曾一平
  • 1篇曹延名

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究
2010年
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的Ⅰ-Ⅴ特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响。在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象。这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释。这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器。
李越强刘雯王晓东陈燕凌杨富华曾一平
关键词：INAS量子点场效应晶体管
对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al<Sub>0.8～0.9</Sub>GaAs...
刘雯李越强王晓东陈燕凌杨富华
InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法
一种InP基平面型背入射雪崩光电二极管，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上；一吸收层制作在缓冲层上；一过渡层制作在吸收层上；一电场控制层制作在过渡层上；一雪崩倍增层，该雪崩倍增层制作在电场控制层上；其中该雪崩倍增层上面的...
吴孟陈燕凌杨富华曹延名
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液
本发明公开了一种对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液，该化学腐蚀液的配比为1g固体柠檬酸与3～4ml的双氧水，实现了对Al组分为0.8～0.9的砷化镓太阳电池帽层Al<Sub>0.8～0.9</Sub>GaAs...
刘雯李越强王晓东陈燕凌杨富华
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