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曹延名

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇雪崩
  • 4篇雪崩光电二极...
  • 4篇光电
  • 4篇光电二极管
  • 4篇二极管
  • 3篇单光子
  • 3篇单光子探测
  • 3篇单光子探测器
  • 3篇探测器
  • 3篇光子
  • 3篇光子探测器
  • 2篇平面型
  • 2篇INP基
  • 1篇英文
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声影响
  • 1篇增益
  • 1篇增益带宽
  • 1篇增益带宽积
  • 1篇入射

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇曹延名
  • 4篇吴孟
  • 4篇杨富华
  • 1篇陈燕凌
  • 1篇林峰

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种近红外单光子探测器
本发明是一种近红外单光子探测器。所述探测器包括：衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，超晶格倍增层，电场控制层，带隙渐变层和光吸收层。通过引入超晶格结构，以及吸收层渐变结构达到提高探测器的性能，特别在探测器的探测频率、噪声影响都...
曹延名吴孟杨富华
文献传递
具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计(英文)
2008年
通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制.在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象.仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2×105kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201.本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子计数雪崩光电二极管的有效方法.
吴孟林峰杨富华曹延名
关键词：击穿电压
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计被引量：3
2008年
设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。
曹延名吴孟杨富华
关键词：单光子探测器雪崩光电二极管
InP基雪崩光电二极管的单光子探测器的研究
近红外单光子探测因其广泛的应用前景受到关注。尤其是量子信息、量子密匙传输技术的兴起，其中信息的载体为单个光子。此外，因具有极高的灵敏度，近红外单光子探测器还可以胜任其它近红外波段微弱光信号探测任务。　　 本论文工作主要...
曹延名
InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法
一种InP基平面型背入射雪崩光电二极管，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上；一吸收层制作在缓冲层上；一过渡层制作在吸收层上；一电场控制层制作在过渡层上；一雪崩倍增层，该雪崩倍增层制作在电场控制层上；其中该雪崩倍增层上面的...
吴孟陈燕凌杨富华曹延名
文献传递
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