吴孟
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种近红外单光子探测器
- 本发明是一种近红外单光子探测器。所述探测器包括：衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，超晶格倍增层，电场控制层，带隙渐变层和光吸收层。通过引入超晶格结构，以及吸收层渐变结构达到提高探测器的性能，特别在探测器的探测频率、噪声影响都...
- 曹延名吴孟杨富华
- 文献传递
- 具有抑制边缘击穿的层叠结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管的设计(英文)
- 2008年
- 通过有限元分析设计了具有抑制边缘击穿的层叠边缘结结构的平面型InGaAs/InP盖革雪崩光电二极管.通过仔细地控制中央区域结的深度,光电二极管的击穿电压降至54.3V;同时通过调整InP倍增层的掺杂浓度和厚度,沿器件中轴的电场分布也得到了控制.在有源区的边缘采用层叠pn结结构有效地抑制了过早边缘击穿现象.仿真模拟显示四层层叠结构是边缘击穿抑制效果和制造工艺复杂度的一个好的折衷方案,该结构中峰值电场强度为5.2×105kV/cm,空穴离化积分最大值为1.201.本文提供了一种设计高性能的InGaAs/InP光子计数雪崩光电二极管的有效方法.
- 吴孟林峰杨富华曹延名
- 关键词：击穿电压
- 用于红外单光子探测的InP基盖革雪崩光电二极管的设计与工艺研究
- 半导体光电探测器作为一种最基本的光电转换器件，在当今的生产生活中有着广泛的应用。其中，InP/InGaAs材料体系的盖革雪崩光电二极管，因为其具有红外单光子探测的能力，可以在量子密钥分配、卫星激光测距等多个领域中发挥用途...
- 吴孟
- InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计被引量：3
- 2008年
- 设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。
- 曹延名吴孟杨富华
- 关键词：单光子探测器雪崩光电二极管
- 基于数字采样示波器的InGaAsP单光子雪崩二极管的特性(英文)
- 2006年
- 介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统.使用带宽50GHz的数字采样示波器,首次直观地展现了门模式(即盖革模式)工作状态下,单光子探测的模式和过程.并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究.在1550nm,工作温度203K条件下,该探测器达到了暗计数概率2·4×10-3每门,量子效率52 %,50kHz的门信号重复频率;在工作温度为238K时,相应参数分别为8·5×10-3,43 %和200kHz .
- 刘伟杨富华吴孟
- InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法
- 一种InP基平面型背入射雪崩光电二极管，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上；一吸收层制作在缓冲层上；一过渡层制作在吸收层上；一电场控制层制作在过渡层上；一雪崩倍增层，该雪崩倍增层制作在电场控制层上；其中该雪崩倍增层上面的...
- 吴孟陈燕凌杨富华曹延名
- 文献传递
