- Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射被引量：3
- 2001年
- 使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的 Ge纳米晶粒两者界面中的
- 唐宁吴兴龙顾沂鲍希茂
- 关键词：光致发光光谱分析锗
- 硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备被引量：5
- 2002年
- 报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.
- 吴兴龙顾沂鲍希茂
- 关键词：自组织生长纳米半导体
- 一些硅基发光材料的制备和发光机理的研究
- 探索硅基发光材料有两个主要的目的,一是寻求发光强度大且性能稳定的可见光源;二是探索蓝光发射.复合多孔硅和硅基SiC薄膜材料分别是其中热点.该文对这两方面作了探讨.
- 顾沂
- 关键词：硅基发光材料蓝光发射
- 文献传递
- 有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光被引量：2
- 2000年
- 在４８８ｎｍ 的Ａｒ＋ 激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ 处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度．使用Ｘ 射线衍射、Ｒａｍ ａｎ 散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究．结果表明，这个增强的ＰＬ峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合，也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合．通过与Ｇｅ覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较。
- 顾沂吴兴龙唐宁鲍希茂
- 关键词：多孔硅光致发光硅
