您的位置： 专家智库 > >

马建斌

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：山东大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇带隙基准
  • 3篇宽温度范围
  • 2篇带隙基准电压
  • 2篇带隙基准电压...
  • 2篇电路
  • 2篇电源抑制
  • 2篇电源抑制比
  • 2篇抑制比
  • 2篇基准电压
  • 2篇基准电压源
  • 2篇CMOS带隙
  • 1篇低温度系数
  • 1篇电路版图
  • 1篇电路结构
  • 1篇温度系数
  • 1篇集成电路
  • 1篇版图
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS工艺

机构

  • 3篇山东大学
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 3篇马建斌
  • 2篇计峰
  • 2篇陈杰
  • 1篇金湘亮

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种1.8V24×10^(-6)/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源(英文)被引量：1
2006年
阐述了一种输出电压为853 mV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现,可在1.8 V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10-6/℃。在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB。电路版图的有效面积为0.022 mm2。该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中。
马建斌金湘亮计峰陈杰
关键词：带隙基准电压源CMOS工艺宽温度范围电源抑制比电路版图
低输出、低温度系数、宽温度范围带隙基准电压源的设计与研究
近年来由于集成工艺水平的提高，电路设计技术的不断改进，模拟集成电路的设计得到较大的进展，同时对电路的性能提出新的挑战。目前随着便携式电子系统的普遍应用，对模拟集成电路的功耗也有了更高的要求。模拟电路主要包括(线性集成电路...
马建斌
关键词：带隙基准电压源温度系数电源抑制比
文献传递
1.6-V,24ppm/℃,宽温度范围CMOS带隙基准源电路
本文提出了一种与电源电压和温度无关的低输出带隙基准电路原理及结构.该电路基于0.18μm标准CMOS工艺制造,工作电源电压在1.6V至2.8V的变化范围内,能获得853mv的输出参考电压,在-20℃到120℃的温度范围内...
马建斌计峰金湘亮陈杰
关键词：集成电路电路结构带隙基准
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0