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于三

作品数:24 被引量:21H指数:2
供职机构:吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 10篇理学
  • 7篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 12篇金刚石薄膜
  • 10篇金刚石
  • 10篇刚石
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积
  • 4篇气相合成
  • 4篇半导体
  • 3篇金刚石膜
  • 3篇激光
  • 2篇氮化
  • 2篇电路
  • 2篇气相生长
  • 2篇热沉
  • 2篇热解
  • 2篇微波器件
  • 2篇纳米
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇辉光
  • 2篇激光器
  • 2篇集成电路

机构

  • 24篇吉林大学

作者

  • 24篇于三
  • 21篇邹广田
  • 15篇金曾孙
  • 13篇吕宪义
  • 5篇李冬妹
  • 2篇郭伟力
  • 2篇陈海勇
  • 2篇张铁臣
  • 2篇赵方海
  • 1篇姜志刚
  • 1篇李红东
  • 1篇杨海滨
  • 1篇杨玉琨
  • 1篇高春晓
  • 1篇李英爱
  • 1篇李明辉
  • 1篇赵树堂

传媒

  • 5篇吉林大学自然...
  • 3篇科学通报
  • 2篇物理
  • 2篇高压物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1996
  • 1篇1993
  • 5篇1992
  • 6篇1991
  • 5篇1990
  • 1篇1988
  • 1篇1900
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在触媒生长cBN区观察到wBN晶粒
1996年
用高分辨率(0.2nm)电子显微镜,对hBN-触媒体系经高温高压处理后的产物观察中,看到尺寸约为30nm的微小颗粒,经电子衍射方法判定其具有纤锌矿结构,为wBN的雏形晶粒。
张铁臣于三郭伟力刘建廷邹广田李冬妹
关键词:晶粒氮化硼
金刚石薄膜热沉的制备研究被引量:3
1991年
利用灯丝热解CVD方法合成了厚度为100μm以上的金刚石多晶薄膜。气相合成的金刚石膜按照2mm×2mm×0.1mm尺寸切割后,通过表面真空蒸镀Ti、Pt、Au包层,在一定的温度下通过烧结等方法使金刚石膜表面金属化,实现了金刚石膜热沉的制备。在GaAs/AlGaAs激光列阵二极管的散热中使用了金刚石膜热沉,结果表明该激光器的散热特性得到了初步的改善,激光器的最大光输出功率较铜热沉散热时提高了10%左右。
于三赵方海金曾孙吕宪义庄荣书邹广田
关键词:金刚石热沉
InP质量输运研究及InGo<,2>ASP/InP质量输运插埋激光器(MTBH)的制备
于三
用热解化学气沉积法选择性生长金刚石薄膜的研究被引量:1
1991年
一、引言 金刚石薄膜作为一种新型多功能材料,其制备和应用研究在近几年内取得了飞速的发展.目前,用各种化学气相沉积方法(CVD)合成的金刚石薄膜在一些领域内已取得了初步的应用.金刚石薄膜的选择性生长就是在衬底表面上按照所需图形生长金刚石薄膜。
于三金曾孙吕宪义邹广田
关键词:金刚石化学气相沉积
热阴极辉光PACVD金刚石厚膜的生长特性
1996年
对用热阴极辉光PACVD方法合成的金刚石厚膜,采用扫描电子显微镜进行了观察,研究了金刚石的生长机制.
孙海平于三姜志刚李冬妹柳林金曾孙邹广田
关键词:PACVD孪晶SEM
单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究
1990年
本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。
金曾孙于三吕宪义黄甫萍邹广田
关键词:金刚石薄膜气相沉积单晶硅
Al-AlN纳米粉在空气中热处理产物的结构与形貌分析被引量:1
1999年
利用 X 射线衍射光谱( X R D)和透射电子显微镜( T E M )对 Al Al N 纳米粉在空气中不同热处理条件的产物结构与形貌进行分析. 结果表明, 原料的结构及加热过程是决定产物性质的主要因素.
李冬妹李红东李明辉杨海滨陈海勇于三李英爱邹广田
关键词:纳米粉形貌氮化铝陶瓷材料XRD
非掺杂、硼掺杂金刚石薄膜的气相合成及性质研究
1引言金刚石是自然界中最硬的物质,并兼具多种优异的物理化学特性。自从Setaka等人建立了气相合成金刚石的CVD方法以来,金刚石的合成研究进入了一个新的历史阶段,尤其是气相方法便于薄膜材料的制备,从而为深入研究金刚石的物...
于三邹广田金曾孙吕宪义
文献传递
气相合成金刚石薄膜的研究进展
1引言本文对国内外金刚石薄膜研究的重要进展进行了简要的评述,并对该研究领域中现存问题及研究工作的发展趋向进行了讨论。
邹广田于三
文献传递
物理学与新型(功能)材料专题系列介绍(V) 金刚石薄膜及其应用被引量:2
1992年
金刚石薄膜的气相合成及应用研究近年来取得了飞速发展,气相合成金刚石薄膜的CVD方法已达20几种,最大的沉积速度已达到每小时930μm.硼掺杂金刚石薄膜的空穴载流子浓度已达到10~(18)cm~(-3),电阻率已达到10~(-2)Ω·cm,在硅衬底表面实现了金刚石薄膜的选择性生长.金刚石薄膜热沉使半导体锁相列阵激光器的输出功率提高了10%左右,金刚石薄膜作为刀具涂层使刀具的寿命得到提高,金刚石热敏电阻、发光管、场效应管等器件原型电子器件在实验上已获得成功.
邹广田于三
关键词:金刚石掺杂CVD
共3页<123>
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