赵方海
- 作品数：26 被引量：20H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 金刚石薄膜热沉的制备研究被引量：3
- 1991年
- 利用灯丝热解CVD方法合成了厚度为100μm以上的金刚石多晶薄膜。气相合成的金刚石膜按照2mm×2mm×0.1mm尺寸切割后,通过表面真空蒸镀Ti、Pt、Au包层,在一定的温度下通过烧结等方法使金刚石膜表面金属化,实现了金刚石膜热沉的制备。在GaAs/AlGaAs激光列阵二极管的散热中使用了金刚石膜热沉,结果表明该激光器的散热特性得到了初步的改善,激光器的最大光输出功率较铜热沉散热时提高了10％左右。
- 于三赵方海金曾孙吕宪义庄荣书邹广田
- 关键词：金刚石热沉
- 阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
- 1995年
- 报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
- 邢进刘素平姜秀英赵方海曲轶杜国同
- 关键词：发光二极管SLD
- 燕尾槽衬底内条形锁相列阵激光器亚纳秒光脉冲的产生及测量
- 1996年
- 报导了锁相列阵激光器产生的亚纳秒光脉冲，测得光脉冲宽度的典型值为２００ｐｓ，光脉冲的峰值功率可达３８０ｍＷ．
- 赵方海李多禄郑伟张玉书
- 关键词：锁相列阵激光器直接调制
- 阶梯和窄台衬底内条形激光器光输出稳态特性分析
- 1993年
- 对阶梯和窄台衬底内条形(TSIS和NMSIS)半导体激光器的稳态光输出特性进行了数值计算。得到TSIS激光器的侧向波导非对称性允许其在大范围电注入下基横模工作和NMSIS器件远场光强分布呈现双峰现象,这些计算结果得到了实验验证。
- 张晓波赵方海王文杜国同杨树人高鼎三丛志先金希卓
- 关键词：半导体激光光输出
- 高性能InP/InP、InGaAs/InP体材料LP-MOCVD生长
- 1997年
- 给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．
- 刘宝林黄美纯陈松岩陈龙海陈朝王本忠王本忠刘式墉
- 关键词：MOCVD铟镓砷磷化铟
- 绝缘介质Ａｌ<,2>Ｏ<,3>薄膜的数字化生长技术
- 赵方海刘扬
- 远场单瓣梯形沟道衬底内条形半导体激光器列阵
- 1990年
- 设计研制了一种可一次液相外延制备的新结构列阵──梯形沟道衬底内条形半导体激光锁相列阵。直流工作器件和脉冲工作器件的单面输出功率分别大于76mW和675mW。器件的远场单瓣半角宽度仅为2.4°。
- 赵方海杜国同张晓波高鼎三
- 关键词：半导体激光器列阵
- MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究被引量：1
- 1997年
- 首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长温度对InGaAs特性的影响。
- 陈龙海刘宝林陈松岩陈朝黄美纯王本忠赵方海刘式墉
- 关键词：MOCVD化合物半导体
- 金刚石薄膜热沉制备的研究被引量：1
- 1990年
- 1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜。
- 于三赵方海金曾孙吕宪义庄荣书邹广田
- 关键词：金刚石薄膜半导体激光器热沉
- 绝缘介质Al_2O_3薄膜的数字化生长技术
- 1995年
- 采用ＣＶＤ技术实现了Ａｌ２Ｏ３薄膜的数字化生长，实验结果表明这种生长方法具有生长温度低、层厚可控等特点，生长出的薄膜每周期生长厚度约为１．１９。
- 赵方海刘扬郑伟马力
- 关键词：数字化绝缘介质衬底温度原子层外延
