代月花
- 作品数：105 被引量：59H指数：5
- 供职机构：安徽大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>
- 一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法
- 本发明公开了一种可片上学习的物理RC网络的实现装置及方法，属于忆阻器类脑计算系统领域。本发明是基于下一代RC网络，对其进行硬件实现，解决了传统RC网络运算并行度不高。本发明的全硬件RC网络，不是简单权重映射后，再进行数据...
- 朱云来方修全吴祖恒冯哲徐祖雨代月花
- 一种单端操作的亚阈值存储单元电路
- 一种单端操作的亚阈值存储单元电路，设有两个PMOS管P1、P2及七个NMOS管N1～N7，P1及P2的体端均分别与各自的源级连接后与电源电压Vdd连接,七个NMOS管N1～N7的体端以及N1、N2、N7的源极均接地，N3...
- 吴秀龙柏娜谭守标李正平孟坚陈军宁徐超代月花龚展立
- 一种实现文本分析的BI-GRU神经网络电路及训练方法和使用方法
- 本发明公开了一种实现文本分析的BI‑GRU神经网络电路及训练方法和使用方法，该电路包括两个方向相反且时间维度相同的GRUCell，分别记为正向GRUCell和反向GRUCell；所述正向GRUCell的输出与所述反向GR...
- 吴祖恒王旭冯哲代月花
- 改善Si_3N_4俘获层过擦现象的第一性原理研究
- 2015年
- 采用第一性原理方法对如何改善电荷俘获存储器的过擦现象进行了研究.过擦是由于氮空位中Si原子对电荷的局域能力弱导致,因此,在Si3N4超胞中分别建立了以C,N,O替换氮空位中的Si原子的缺陷结构作为本文的研究模型.分别计算了擦写之后体系的巴德电荷分布、相互作用能、态密度,借以分析替位原子对过擦的影响.巴德电荷分布的计算结果表明,Si3N4在O替位128号Si后的过擦现象被明显改善;C替位128号Si也可以改善过擦,但由于C替位对电荷的局域作用变弱,不利于电荷的存储实现;N替位128号Si则不能改善过擦;而在162和196号Si位置,三种原子的替换均无法改善过擦现象.相互作用能的研究表明,在128号Si位置,三种原子都能够和氮空位形成团簇,在体系中稳定存在.特别地,O替位Si后,体系中两缺陷的相互吸引作用最弱,从而写入的电荷能够短暂的打破O团簇的稳定性,实现电荷重构,将电荷局域在O团簇周围.此外,态密度的分析结果表明O在128号Si位置能够在Si3N4禁带中引入深能级缺陷,深能级局域电荷的能力强.以上分析证明,O替位可以很好的改善Si3N4中的过擦现象.本文的研究结果为电荷俘获存储器改善过擦提供了一种方法,对提高器件的电荷保持特性和优化存储窗口具有指导意义.
- 代月花金波汪家余陈真李宁蒋先伟卢文娟李晓风
- 关键词：第一性原理N4SI3N4
- 一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备
- 本发明公开了一种基于忆阻器的径向基神经元实现方法及设备，涉及忆阻器技术领域，方法包括以下步骤：接收神经元电路的输入电压；将输入电压输送至预先建立的绝对值模块电路内，得到幅值为非负的电压信号；将幅值为负的电压信号输入预先建...
- 吴祖恒李威陈涛邹建勋冯哲徐祖雨朱云来代月花
- 一种分压型RRAM阵列结构
- 本发明公开了一种分压型RRAM阵列结构，包括1T1R单元和另一个1T单元，1T指的是MOS管，1R指的是RRAM单元，MOS管与RRAM单元相连，组成1T1R单元；多个1T1R单元并联形成1T1R阵列；另一个1T单元为M...
- 徐祖雨马学杨陈涛吴祖恒朱云来代月花
- 复合多晶硅栅LDD MOSFET制造工艺研究
- 2011年
- 通过工艺模拟软件TSUPREM,设计了一种复合多晶硅栅(DDPG-MOS FET)的制造工艺,并使用MEDICI软件对采用该工艺的器件的频率特性和瞬态特性进行分析。结果表明,DDPG-MOS制造工艺简单、完全与CMOS工艺兼容,其结构明显改善了传统MOSFET的多项性能,在射频领域具有很好的应用前景。
- 方磊代月花陈军宁
- 关键词：MOSFET
- 图像数据库的模糊检索方法的探讨
- 这篇文章证明了在图形、图像数据库中基于模糊集合的检索方法可以实现精确的检索和控制检索范围,达到控制连续语义变化检索的目的,并用模糊对象分层树的方法实现了图形、图像数据库中的模糊检索,最后给出一个例子。
- 代月花柯导明陈军宁
- 异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管
- 异质栅多阶梯场极板横向双扩散金属氧化物半导体管，其特征是设置源栅和漏栅的异质双栅结构，由第一级场极板和第二级场极板构成多阶梯场极板，源栅、漏栅、第一级场极板和第二级场极板依次相连；源和漏分别设置在沟道阱区和阱漂移区上；栅...
- 陈军宁柯导明代月花高珊徐超孟坚吴秀龙
- 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究被引量：1
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO2(001),Cu(111)/HfO2(010),Cu(111)/HfO2(100)三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度.计算结果表明:Cu(111)/HfO2(010)失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO2(010)方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器(RRAM)器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu(111)/HfO2(010)复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu(111)/HfO2(010)体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO2体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂.研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具.
- 杨金周茂秀徐太龙代月花汪家余罗京许会芳蒋先伟陈军宁
- 关键词：复合材料
