何政
- 作品数：14 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN基RCE紫外探测器设计及光敏区器件研究
- 氮化镓(GaN)基宽带半导体是制备高温、高功率、高频电子器件以及发光管和紫外探测器等光电子器件的重要材料。使用pn、pin、Schottky、光导等结构的GaN基半导体紫外光电探测器也有其重大的应用背景。
本文从研...
- 何政
- 关键词：紫外探测器半导体材料氮化镓
- SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响被引量：1
- 2006年
- 在采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器；利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜；并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较，结果表明：SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流，同时并不影响器件的正向开启电压；在光波长范围为300～365nm，探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。
- 何政李雪亢勇方家熊
- 氮化镓紫外探测器
- 本发明公开了一种探测波长为250-300nm的谐振腔结构的氮化镓(GaN)紫外肖特基型和光导型探测器，其核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜来...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
- 器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
- 2008年
- 在利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al0.3Ga0.7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。I-V和光谱响应测试结果表明:台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流,它们的势垒高度分别为0.71 eV和0.90 eV,理想因子分别为1.12和1.02;峰值响应率分别为0.07 A/W和0.005 A/W,台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦,而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而降低的曲线。这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。
- 陈江峰杨莉何政
- 关键词：铝镓氮
- 氮化镓紫外探测器
- 本发明公开了一种探测波长为250－300nm的谐振腔结构的氮化镓(GaN)紫外肖特基型和光导型探测器，其核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜来...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
- 紫外双波段氮化镓探测器
- 本发明公开了一种紫外双波段氮化镓(GaN)探测器，其探测波长为250－300nm和320－365nm。它的核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
- p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器被引量：3
- 2006年
- 报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.
- 游达许金通汤英文何政徐运华龚海梅
- 关键词：ALGAN肖特基极化效应
- 高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀
- 初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后...
- 亢勇李雪何政方家熊
- 关键词：ALGAN材料干法刻蚀MOCVD生长离子束溅射
- 文献传递
- 器件结构对Al0．3Ga0．7N Schottky探测器性能的影响
- 2007年
- 在利用金属有机化学气相（MOCVD）方法生长的Al0．3Ga0．7N材料上制备了平面和台面结构的肖特基探测器。Ⅰ—Ⅴ和光谱响应测试结果表明：台面结构器件的反向漏电流大于平面结构器件的反向漏电流，它们的势垒高度分别为0．71eV和0．90eV，理想因子分别为1．12和1．02；峰值响应率分别为0．07A／W和0．005A／W，台面结构器件的响应光谱曲线在响应波段比较平坦，而平面结构器件的光谱响应是一条随着波长的减小而减低的曲线。产生这些现象可能主要是由于台面结构的欧姆接触电阻及串联电阻相对较小和离子束刻蚀对台面结构所带来的损伤所致。
- 陈江峰杨莉何政
- 关键词：铝镓氮
- 紫外双波段氮化镓探测器
- 本发明公开了一种紫外双波段氮化镓(GaN)探测器，其探测波长为250-300nm和320-365nm。它的核心是通过利用电介质材料(例如HfO<Sub>2</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>)构成高反射率的反射镜...
- 何政方家熊亢勇李雪
- 文献传递
