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刘伟昌

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇直流反应磁控...
  • 1篇施主
  • 1篇施主掺杂
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒大小
  • 1篇溅射
  • 1篇合金
  • 1篇二元合金
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇P型ZNO薄...
  • 1篇SUB
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇刘伟昌
  • 1篇叶志镇
  • 1篇简二梅
  • 1篇赵炳辉

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种以NH<Sub>3</Sub>作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法
本发明公开了一种以NH<Sub>3</Sub>作为N源的In－N共掺制备p型ZnO薄膜的方法，该方法利用直流反应磁控溅射技术，以In金属为施主掺杂源，以NH<Sub>3</Sub>为N源并作为受主掺杂源制成的。以ZnIn...
叶志镇简二梅刘伟昌赵炳辉
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