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Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“...; 陈松岩刘翰辉亓东锋李成; 文献传递

非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化...; 陈松岩亓东锋刘翰辉李成; 文献传递

Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“...; 陈松岩刘翰辉亓东锋李成

基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在...; 陈松岩亓东锋刘翰辉李成赖虹凯; 文献传递

退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响: 本文采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度小于800℃时，退火对虚衬底的弛豫度影响较大，而对SiGe合金层的组分调制作用较小。当退火温度大于800℃，底层的低温锗(LT...; 亓东锋刘翰辉陈松岩李成赖虹凯黄巍李俊; 关键词：退火稳定性

非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化...; 陈松岩亓东锋刘翰辉李成; 文献传递

色散效应对聚光多结太阳电池性能的影响及优化: 2017年; 针对色散效应导致聚光多结太阳电池性能降低的问题,使用分布式三维等效电路模型计算高倍聚光下GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池的输出特性,通过分析电池各层的电压分布、暗电流分布以及横向电流分布,研究了不同电池尺寸下色散效应对电池性能影响的机理.结果表明:色散使多结太阳电池在局部区域的光生电流变得不匹配,随着电池尺寸的减小,局部区域之间失配的光生电流能够以横向电流的形式相互补偿,使电池整体的电流更加匹配,从而减小色散效应的影响.当电池芯片尺寸较大(20 mm×20 mm)时,色散主要降低电池的短路电流密度,色散光斑下电池的效率仅相当于无色散时的94%;当电池芯片尺寸减小到2 mm×2 mm时,短路电流密度与无色散时相等,但横向电阻降低了电池的填充因子.当电池芯片尺寸进一步减小到0.4 mm×0.4 mm时,色散与无色散光斑下电池的各项性能几乎没有差别,效率均约为34.5%,色散效应的影响可忽略不计.; 李欣林桂江刘翰辉陈松岩刘冠洲; 关键词：聚光光伏多结太阳电池色散

纳秒脉冲激光与金属薄膜材料相互作用的瞬态研究: <正>在纳秒高斯脉冲激光制备金属表面功能性结构的过程中,激光在纳秒时间内辐射到材料表面,引起材料表面发生气化、烧蚀、熔化和氧化等多种热力学过程,因此系统研究激光与物质相互作用过程中热力学变化过程,对于提高光电子、微电子器...; 亓东锋刘翰辉陈松岩Costas.P.Grigoropoulos; 文献传递

一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的S...; 陈松岩刘翰辉黄东林李成; 文献传递

台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法: 台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵...; 陈松岩亓东锋刘翰辉李成; 文献传递

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刘翰辉