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掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光被引量：1: 2005年; 利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态.AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368 nm左右.PL结果表明,在850～1 050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1 050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr3+的热激活能为5.8 eV.; 宋淑芳陈维德张春光卞留芳许振嘉; 关键词：GAN PR 光致发光

掺铒半导体材料的性质的研究: 掺稀土半导体材料在硅基光电子集成、光纤通讯以及大面积的平板显示等方面都有潜在的重要应用价值。掺铒(Er)硅基材料不仅可以发出1.54μm的红外光，而且可以发出绿光。由于铒所发的1.54μm的光对应石英光纤吸收和色散的最小...; 卞留芳

掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质被引量：5: 2005年; 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅(nc-S i)和非晶纳米硅(a-n-S i)颗粒的基体中。利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自nc-S i在800 nm的发光强度比来自a-S iOx∶H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-S iOx∶H在1.54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-S iOx∶H薄膜中S i颗粒和Er3+的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Ram an散射等的测量结果,进一步明确指出a-S i颗粒在Er3+的激发中可以起到和nc-S i同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。; 陈维德陈长勇卞留芳; 关键词：离子注入纳米硅富硅氧化硅

掺铕GaN薄膜的Raman散射研究被引量：2: 2006年; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。; 张春光卞留芳陈维德; 关键词：GAN EU 金属有机物化学气相沉积 RAMAN散射铕

铒注入GaN的缺陷研究: ＜正＞掺稀土 GaN 在同一基片可望发出不同波长的光,包括红、绿、蓝和红外光。它独特的发光特性有重要的潜在应用而引起人们的很大兴趣和重视。离子注入是实现 GaN 薄膜稀土掺杂的重要方法之一,它具有和现有的集成技术兼容等许...; 卞留芳陈维德; 文献传递

铒注入GaN的绿光发射: 掺稀土 GaN 在同一基片可望发出不同波长的光。包括红、绿、蓝和红外光。它独特的发光特性有重要的潜在应用而引起人们的很大兴趣和重视。对于掺铒 GaN(GaN：Er),采用外延原位生长的方法可观察到红外和绿光发射,但采用离...; 卞留芳陈维德; 文献传递

掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性: 2006年; 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响。结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。; 卞留芳张春光陈维德许振嘉屈玉华刁宏伟; 关键词：ER SIC 硅基材料发光稀土

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卞留芳