夏长虹
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除
- 1989年
- 本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
- 陶兆民夏长虹潘晓丹潘峡
- 关键词：晶体表面AES
- 全文增补中
- GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析
- 1992年
- UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。
- 杨伟毅王广林高频夏长虹邓金祥
- 关键词：砷化镓表面化学
- Ti-Ta吸气丝的SIMS分析被引量：1
- 1991年
- 本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。
- 邓金祥夏长虹陶兆民余镇江杨得全张韶红
- 关键词：吸气剂SIMS分析
- 去除GaAs，InP，GaInAsP表面碳（或碳氢化合物）的污染及去除GaAs表面氢（或还原氧化物）的污染
- 夏长虹潘晓丹陶兆民
- 关键词：光电阴极材料表面化学表面晶体学
