陶兆民
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院电子学研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- Ti-Ta吸气丝的SIMS分析被引量：1
- 1991年
- 本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。
- 邓金祥夏长虹陶兆民余镇江杨得全张韶红
- 关键词：吸气剂SIMS分析
- MCP噪声因子的理论分析被引量：4
- 1993年
- 本文从理论上分析了MCP对输出信号信噪比的影响,推导了噪声因子的表达式,作了相应的数值计算。根据计算结果指出了降低MCP噪声因子的有效途径。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：MCP信噪比噪声因子电子倍增器
- 一种新的高增益MCP的设想
- 1992年
- 本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理论上来说,在成型后的 MCP 增益不符合要求时,可能使用这种方法通过后期工艺处理得到合格的 MCP;对于合格的 MCP,可以使其增益更高,从而能在低工作电压下使用,延长寿命减少噪声。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：MCP增益电子倍增器
- GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除
- 1989年
- 本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。
- 陶兆民夏长虹潘晓丹潘峡
- 关键词：晶体表面AES
- 全文增补中
- 微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布被引量：2
- 1991年
- 本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出了改进微通道板性能的几个途径。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：微通道板
- 次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算被引量：2
- 1994年
- 在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarlo计算联系了起来，为新型次级电子发射材料的设计提供了一种计算方法。
- 韦亚一陶兆民黄力明
- 关键词：蒙特卡罗法模拟计算
- 去除GaAs，InP，GaInAsP表面碳（或碳氢化合物）的污染及去除GaAs表面氢（或还原氧化物）的污染
- 夏长虹潘晓丹陶兆民
- 关键词：光电阴极材料表面化学表面晶体学
- 微通道板增益衰减的理论分析被引量：3
- 1992年
- 本文根据作者已有的实验数据和在前人工作的基础上,分析了导致微通道板经电子轰击后增益大幅度下降的原因.并据此对照国外同类产品剖析了目前国内微通道板生产中影响增益的几个因素,提出相应的改进意见.
- 陶兆民韦亚一
- 关键词：微通道板
- 全文增补中
- 光阴极的设计、耐高温光阴极与PD-AG-O-CS光电发射
- 陶兆民
- 该项研究分析了透射式负电子亲和势Ⅲ—Ｖ族化合物光阴极光电性能与基本结构、工艺、窗口与阴极材料的光学、晶体和热学之间的相互关系，并指出了正确设计的原则与方法。该成果对研究、发展与制作透射式二元或更多元的Ⅲ—Ｖ族化合物光阴极...
- 关键词：
- 关键词：铯夜视仪光电阴极材料光电阴极
- 微通道板最佳倾斜角的设计被引量：4
- 1994年
- 本文根据铅硅玻璃次级电子产额公式，计算了对应于不同入射能量的原初电子进入微通道板的最佳入射倾斜角。指出不同材料制作的微通道板（不同的微通道板皮玻璃料方），工作在不同的条件下（入射电子能量不同），就必须设计不同的倾斜角，否则微通道板的电子倍增潜力得不到充分发挥。
- 韦亚一陶兆民
- 关键词：微通道板倾斜角
