孙方
- 作品数：9 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 用光致抗蚀剂膜层制作衰减相移掩模
- 2001年
- 提出一种用光致抗蚀剂膜层制作单层结构衰减相移掩模的新方法 ,介绍这种方法的原理和制作工艺 ,并给出这种方法制作的衰减相移掩模用于准分子激光光刻实验 ,得到显著提高光刻分辨力的实验结果。
- 侯德胜冯伯儒孙方张锦
- 关键词：光致抗蚀剂衰减相移掩模分辨力光刻
- 0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计被引量：2
- 1999年
- 首先通过对０．３５μｍ 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算，得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中，衰减型对提高边缘斜率最为明显，因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件，该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。
- 周崇喜冯伯儒侯德胜张锦陈芬孙方
- 关键词：相移掩模软件设计IC
- 用于0.35μm接触孔图形相移掩模研究被引量：2
- 2000年
- 基于霍普金斯 (Hopkins)理论 ,通过计算 0 .35μm方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模、部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模在硅片表面空间像的光强分布 ,找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显 ,尤其在相干因子 (σ)较小时更是如此。
- 周崇喜冯伯儒侯德胜张锦陈芬孙方
- 关键词：相移掩模光刻分辨率焦深集成电路
- 光致抗蚀剂薄膜在光刻掩膜制作中的应用
- 该文介绍光致抗蚀剂薄膜在光刻掩模制作中的一种新的应用，即用光致抗蚀剂薄膜来制作光刻用的衰减相移掩模。介绍这种新方法的原理和制作工艺，并将制作的光致抗蚀剂衰减相移掩模用于krF准分子激光投影光刻曝光实验，得出了显著提高光刻...
- 侯德胜孙方
- 关键词：光致抗蚀剂光刻掩模衰减相移掩模分辨力
- 文献传递
- 用光致抗蚀剂膜层制作KrF准分子激光光刻掩模
- 介绍制作光刻掩模的一种新方法,即用光致抗蚀剂膜层直接作为掩蔽层来制作光刻掩模.其基本原理是利用光致抗蚀剂对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光致抗蚀剂直接制作掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的...
- 侯德胜冯伯儒张锦孙方
- 关键词：光致抗蚀剂光刻掩模衰减相移掩模准分子激光光刻
- 文献传递
- 衰减相移掩模及其制作方法
- 本发明公开了一种单层膜结构的衰减相移掩模及其制作方法。该衰减相移掩模由基片上的光致抗蚀剂膜层构成同时满足衰减率和相移度要求的单层膜。其制作方法是将光致抗蚀剂均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上,成为衰减相移膜层,从而制成单层...
- 候德胜冯伯儒孙方张锦
- 文献传递
- 采用Levenson相移掩模的KrF准分子激光投影光刻工艺研究
- 本文介绍我们把相移掩模光刻技术和准分子激光光刻技术结合起来进行的进一步提高光刻分辨力,扩展光学光刻极限的研究.包括Levenson相移掩模的制作工艺,KrF准分子激光缩小投影曝光光刻实验系统的建立,以及采用制作的相移掩模...
- 侯德胜孙方冯伯儒张锦
- 关键词：相移掩模准分子激光光刻工艺
- 文献传递
- 新型滤波提高光刻分辨率方法研究
- 2000年
- 推导出光刻成像的计算机模拟公式 ,讨论了光瞳滤波提高光刻分辨率的物理机理 ,给出了几个实验结果。提出逆傅利叶变换卷积滤波提高光刻分辨率的原理及方法 ,并和光瞳滤波进行了比较。结果表明 :加入适当的光瞳滤波 ,在数值孔径为 0 6 3的i线投影光刻曝光机上对 0 2 5 μm的密集型线条实现了 0 43的光强对比度。采用逆傅利叶变换卷积滤波在数值孔径为 0 6 0的 1 93nm深紫外投影光刻曝光机上实现0 1 3um左右的密集型线条 ,得到较高对比度的空间像光强分布。
- 周崇喜罗先刚张锦孙方陈芬冯伯儒姚汉民HOU De-sheng
- 关键词：光瞳滤波傅里叶变换光刻分辨率
- 用于KrF准分子激光光刻的衰减相移掩模
- 2000年
- 讨论了相移掩模提高光刻分辨力的基本原理 ,提出了一种抗蚀剂相移器制作衰减相移掩模的新方法 ,利用自行设计、建立的 Kr F准分子激光投影光刻实验曝光系统进行了实验研究 ,给出了实验结果 ,并与传统光刻方法作了比较。
- 孙方侯德胜冯伯儒张锦
- 关键词：相移掩模激光光刻
