孙鸣
- 作品数：43 被引量：72H指数：5
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂被引量：1
- 2015年
- 在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所产生的CuO颗粒,采用主要有效成分为FA/OII型螯合剂和FA/OI型非离子表面活性剂的碱性清洗剂,结合聚乙烯醇(PVA)刷洗的方式对其进行清洗。利用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)以及扫描电子显微镜(SEM)对铜光片清洗前后进行检测。实验结果表明,该清洗剂不仅能有效去除GLSI多层铜布线片CMP后在铜线条表面残留的CuO颗粒,而且成分简单环保,不含金属离子,因此有很好的应用前景。
- 杨志欣高宝红王辰伟孙鸣孙铭斌张男男程川檀柏梅
- 关键词：清洗剂表面活性剂
- 一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法
- 本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，...
- 潘国峰王昊夏荣阳何平孙鸣杨学莉王辰伟
- 文献传递
- 铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定被引量：3
- 2014年
- 目的探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
- 李炎孙鸣李洪波刘玉岭王傲尘何彦刚闫辰奇张金
- 关键词：表面粗糙度
- 蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液及其循环使用方法
- 本发明涉及一种蓝宝石衬底材料的复合碱抛光液,其主要组成成分按重量％计，包括重量浓度2-50wt％以及粒径15-150nm的纳米SiO<Sub>2</Sub>水溶胶10-50％、活性剂0.05-1％，螯合剂0.1-1％，p...
- 牛新环高宝红孙鸣王如王娟刘玉岭
- 低磨料质量分数碱性阻挡层抛光液的研究被引量：1
- 2016年
- 主要研究了低磨料质量分数阻挡层抛光液的抛光性能,并将其与商用抛光液进行了对比。由实验结果可以看出,当固定抛光液中的磨料质量分数时,铜的去除速率随着磨料粒径的减小而升高。当固定磨料粒径不变时,铜的去除速率随着磨料质量分数的升高而迅速升高,而钽略有升高但不明显。当磨料质量分数为5%时,铜和钽的去除速率选择比最优。通过对比实验可以看出,用磨料质量分数为5%的抛光液抛光后,晶圆表面粗糙度较商用抛光液降低了约30%,并且磨料质量分数为5%的抛光液抛光后的晶圆蝶形坑明显优于商用抛光液抛光后的晶圆蝶形坑。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟王如孙鸣高宝红岳昕李祥州李月
- 关键词：阻挡层去除速率粗糙度
- 大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法
- 本发明公开了一种大尺寸单晶硅片表面有机物沾污的红外透射检测方法。本发明按照下述步骤进行：使用红外光谱仪测量直径150-300mm的大直径硅片中测试点的碳氢键和碳氧键是否存在，所述测试点为在晶圆上选取的星型分布的17个点，...
- 潘国峰刘玉岭王如牛新环孙鸣刘畅
- 文献传递
- ULSI多层互连中的化学机械抛光工艺被引量：12
- 2006年
- 介绍了化学机械抛光(CMP)技术在大规模集成电路多层互连工艺[1]中的重要作用,对CMP过程和CMP的影响因素进行简单分析。总结出CMP技术在多层互联平坦化中的优势,介绍目前常用互连材料中SiO2介质及其金属材料钨和铜的化学机械抛光常用分析机理,并简单介绍了各种互联材料常用的抛光液及抛光液的组分,对抛光液作了简单的对比。针对传统CMP过程存在的问题,分析了皮带式和固定磨料的CMP技术。
- 贾英茜刘玉岭牛新环刘博孙鸣
- 关键词：化学机械抛光多层互连抛光液钨
- ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究被引量：10
- 2006年
- 研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。
- 刘博刘玉岭孙鸣贾英茜刘长宇
- 关键词：化学机械抛光铜布线抛光液
- 一种防雾霾管道吸附口罩
- 本实用新型涉及一种防雾霾管道吸附口罩，主要包括送风装置，管道和呼吸面罩，送风装置为风扇送风，空气通过管道进入呼吸面罩；管道两端为软管连接送风装置和呼吸面罩，管道中间为吸附管道部分，吸附管道的内壁植绒或涂覆高粘性材质，吸附...
- 高宝红王辰伟孙鸣刘玉岭
- 文献传递
- TSV硅衬底CMP后表面微粗糙度分析与优化被引量：1
- 2013年
- 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表明,抛光液组分中活性剂体积分数对CMP过程中硅衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比条件下,CMP后硅衬底表面微粗糙度可有效降到0.272 nm(10μm×10μm),去除速率仍可达到0.538μm/min。将优化后的抛光液与生产线上普遍采用的某国际商用抛光液进行对比,在抛光速率基本一致的条件下,粗糙度有效降低50%。
- 杨昊鹍刘玉岭王辰伟孙鸣张宏远
- 关键词：抛光液活性剂抛光速率
