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宋杰

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术哲学宗教更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇会议论文
  • 5篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇异质结
  • 3篇位错
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇电子浓度
  • 2篇刃型位错
  • 2篇体质量
  • 2篇外延层
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇ZN
  • 2篇GAN
  • 2篇GAN异质结...
  • 2篇IN0
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇寻呼

机构

  • 17篇北京大学

作者

  • 17篇宋杰
  • 12篇沈波
  • 10篇许福军
  • 8篇杨志坚
  • 8篇苗振林
  • 5篇鲁麟
  • 5篇张国义
  • 5篇王新强
  • 3篇黄森
  • 2篇马楠
  • 2篇林芳
  • 2篇唐宁
  • 2篇秦志新
  • 2篇于彤军
  • 1篇许福君
  • 1篇黄呈橙
  • 1篇岑龙斌
  • 1篇桑立雯
  • 1篇潘建海
  • 1篇闫晓东

传媒

  • 4篇第十七届全国...
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 6篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅱ型In0.17Al0.83N/GaN异质结构的实验证明及理论研究
通过X射线光电子能谱(XPS)、光致发光谱(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)等手段,我们研究了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结构界面处的能带结构.研究样品为利用MOCVD技术生长的InAlN薄膜以及相...
王嘉铭许福军宋杰王新强葛惟昆杨志坚沈波
GaN基异质结构的MOCVD生长和物性研究
GaN基异质结构以其优越的物理和化学性能，成为高温、高频、大功率和抗辐照电子器件最有潜力的半导体材料体系之一。AlxGa1-xN/GaN异质结构由于其高的迁移率和电子浓度而被广泛应用于电子器件，其材料的生长和相关器件的制...
宋杰
关键词：MOCVD生长物性研究
试论品德素质在人力资源开发中的价值与作用
宋杰
关键词：品德素质
GaN模板上MOCVD生长InzAl1-zN的缺陷研究
@@引言： InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN／GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶...
苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
文献传递网络资源链接
GaN模板上MOCVD生长InxAl1-xN的缺陷研究
InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN/GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶格匹配，并且...
苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
关键词：禁带宽度三元合金晶格匹配
我国寻呼业的现状分析与经营策略
宋杰
关键词：寻呼业
用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温特性
本文用传输线模型对用硫化铵做表面处理的n型GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的比接触电阻率对温度的依赖关系进行了研究。
林芳张国义沈波黄森许福君鲁麟宋杰梅伏洪马楠秦志新
关键词：表面处理欧姆接触
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一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AlN并退火处理(简称为“AlN预处理”)，降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的...
许福军沈波苗振林宋杰王新强唐宁杨志坚张国义
文献传递
基于t分布的GARCH模型族预测
自从Engle(1982)提出ARCH模型之后，关于该模型的推广及改进一直是许多计量经济学家关注的问题。从ARCH模型到Bosllerslev(1986)的GARCH模型，它们都是用来刻画高频金融数据波动聚集现象的。这类...
宋杰
关键词：尾指数T分布
文献传递
高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究
本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vg...
许福军沈波苗振林宋杰杨志坚张国义
关键词：光致发光谱MOCVD法位错密度
文献传递
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共2页<12>
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