苗振林
- 作品数：15 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 晶格匹配In0.18Al0.82N/GaN异质结构的MOCVD生长研究
- 与AlGaN/GaN异质结构相比,InAlN/GaN异质结构可以实现面内晶格匹配生长,并具有更高的二维电子气(2DEG)密度,对提高微波器件的功率和可靠性有重要价值。我们采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在...
- 苗振林许福军宋杰黄呈橙于彤军杨志坚沈波
- 关键词：MOCVD生长输运性质
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- GaN模板上MOCVD生长InxAl1-xN的缺陷研究
- InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN/GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶格匹配，并且...
- 苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
- 关键词：禁带宽度三元合金晶格匹配
- 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用
- 本文采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/sq以上.原子力显微镜结果显示高阻Ga...
- 许谏张国义沈波许福军苗振林王茂俊黄森鲁麟潘尧波杨志坚
- 关键词：刃型位错MOCVD生长表面粗糙度
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- 基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
- @@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
- 黄呈橙许福军闫晓东宋杰苗振林岑龙斌潘建海王新强沈波
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- MOCVD生长的AlInN薄膜性质研究
- 近几年,InAlN薄膜的研究引起了广泛关注。研究表明,In组分为18%的AlInN薄膜的a面晶格常数与GaN相同,AlInN/GaN为无应变的异质结构。从而,这一材料体系为制备性能优异的微电子器件和光电子器件提供了可能。...
- 于彤军苗振林许福军沈波张国义
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- 高阻GaN和非故意掺杂常规GaN黄带发光性质的对比研究
- 本文采用光致发光谱和正电子湮灭谱对比研究了MOCVD方法制备的高阻GaN和非故意掺杂常规GaN中黄带发光的特点和相关的机制。实验发现在非故意掺杂常规GaN中,黄带发光的强度随着镓空位(Vga)浓度的增加而增大,其表明Vg...
- 许福军沈波苗振林宋杰杨志坚张国义
- 关键词：光致发光谱MOCVD法位错密度
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- 一种高晶体质量高阻GaN外延层的生长方法
- 本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AlN并退火处理(简称为“AlN预处理”)，降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的...
- 许福军沈波苗振林宋杰王新强唐宁杨志坚张国义
- AlN插入层厚度对Al0.25Ga0.75N/GaN异质结肖特基接触反向漏电的影响
- AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖特基接触的反向漏电的影响。而栅极反向漏电会造成AlxGa1-xN/GaN...
- 黄森沈波马楠许福军林芳苗振林宋杰鲁麟桑立雯秦志新
- 关键词：二维电子气反向漏电异质结
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- 高Al组分Al_xGa_(1-x)N薄膜的弹性-塑性力学性质被引量：1
- 2007年
- 采用纳米压痕方法,研究了AlN/spphire模板上的高Al组分AlxGa1-xN薄膜的力学性质,特别是弹性-塑性转变行为.研究表明,AlxGa1-xN薄膜的杨氏模量E随着Al组分的增加而增大,薄膜中产生塑性形变所必要的剪切应力也随着Al组分的增加而增大.在AlxGa1-xN薄膜纳米压痕实验中,观察到位移不连续的跳断('pop-in')行为,并且发现'pop-in'行为强烈依赖于Al组分,Al组分的增加导致这种行为的减少.我们认为随着Al组分的增加,AlxGa1-xN中键能的增强和由于AlxGa1-xN与AlN/sapphire模板之间晶格失配减少这两个因素增加了AlxGa1-xN中新位错形成的阻力,从而导致了AlxGa1-xN薄膜中的'pop-in'行为随Al组分增加而减少.
- 许福军沈波王茂俊许谏苗振林杨志坚秦志新张国义蔺冰白树林
- 关键词：杨氏模量力学性质塑性形变
- GaN模板上MOCVD生长InzAl1-zN的缺陷研究
- @@引言： InxAlt-xN三元合金的禁带宽度跨越红外(0.7 eV)到深紫外(6.2 eV)的范围，使其在光电子器件上有重要的应用前景。InxAl1-xN／GaN异质结构在x=0.18时，InxAl1-xN与GaN晶...
- 苗振林沈波于彤军许福军宋杰鲁麟杨志坚
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