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庄喆

作品数：18 被引量：6H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇氮化镓
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇发光
  • 3篇铟镓氮
  • 3篇刻蚀
  • 3篇半导体
  • 3篇LED
  • 3篇MICRO
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化物
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇导体
  • 2篇点阵
  • 2篇点阵图
  • 2篇点阵图形
  • 2篇压印
  • 2篇有源
  • 2篇生长介质

机构

  • 18篇南京大学

作者

  • 18篇庄喆
  • 13篇刘斌
  • 11篇谢自力
  • 11篇张荣
  • 9篇陈鹏
  • 9篇郑有炓
  • 8篇陈敦军
  • 6篇韩平
  • 6篇陶涛
  • 5篇赵红
  • 5篇修向前
  • 4篇郭旭
  • 4篇葛海雄
  • 4篇顾书林
  • 4篇刘斌
  • 4篇李烨操
  • 3篇智婷
  • 2篇陆海
  • 2篇托马斯·科奇
  • 2篇施毅

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 5篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 2篇2012
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种连续视角micro-LED裸眼3D显示装置及其显示方法
本发明公开了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置及其显示方法，该装置包括空间立体排布的micro‑LED阵列光源和与光源位置相匹配的立体排布的定向散射屏。所述立体排布的micro‑LED阵列光源包括在沿中心垂线...
陶涛黄锦鹏智婷庄喆刘斌
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（IC...
刘斌张荣庄喆葛海雄郭旭谢自力陈鹏修向前赵红陈敦军陆海顾书林韩平郑有炓
文献传递
垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法
本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可...
庄喆桑艺萌刘斌陶涛
MOCVD生长富In组分InGaN合金及表面电化学处理提高InGaN光电极转换效率
InGaN合金的禁带宽度从0.7eV至3.4eV连续可调,在可见光全谱显示和太阳能转换器件方面有重要的潜在应用价值。本文研究了采用金属有机物化学气相外延方法(MOCVD)生长富Ga组分和富In组分InGaN合金薄膜,采用...
刘斌罗文俊李朝升于涛邹志刚张荣庄喆陶涛谢自力陈鹏陈敦军郑有蚪李明雪
GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性被引量：5
2016年
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获得了In GaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明:纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70%),提高了器件的辐射复合几率和出光效率,同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度,显著降低了LED器件的漏电流(~10-7),最终提高了器件的发光效率。
智婷陶涛刘斌庄喆谢自力陈鹏张荣郑有炓
关键词：INGAN/GAN发光二极管纳米压印
GaN基光电器件的中间结构及制备方法
本发明公开了一种GaN基光电器件的中间结构及制备方法，所述方法包括制备衬底；在所述衬底的一侧沉积介质牺牲层；在所述介质牺牲层的一侧制作光电器件结构；采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述介质牺牲层；对光电器件进行剥离和转移。本发明至少...
庄喆李晨雪刘斌陶涛
一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN<Sub>x</Sub>介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚...
刘斌张荣李烨操谢自力方贺男庄喆陈鹏修向前赵红陈敦军顾书林韩平郑有炓托马斯·科奇
III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法
本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有...
刘斌张荣庄喆谢自力葛海雄郭旭陈鹏陈敦军韩平施毅郑有炓
文献传递
氮化物半导体有序纳米阵列结构及其混合白光LED器件
固态照明技术作为一项全新的照明技术，主要以半导体芯片为元件，直接将电能转换为光能，转换效率高。而Ⅲ族氮化物材料作为直接宽带隙半导体材料，拥有优异的物理和化学特性，其禁带宽度从0.7eV到6.2eV连续可调，已经成为固态照...
庄喆
关键词：氮化物半导体发光特性
文献传递
基于Mxene-AlInGaN异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构...
刘斌丁宇庄喆
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