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延涛

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇酸腐蚀
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘胶
  • 4篇绝缘胶带
  • 4篇硅片
  • 4篇硅片清洗
  • 3篇电路
  • 3篇射频
  • 3篇可变电容
  • 2篇电感
  • 2篇淀积
  • 2篇原位掺杂
  • 2篇品质因子
  • 2篇集成电感
  • 2篇硅衬底
  • 2篇变容管
  • 2篇掺杂
  • 2篇衬底
  • 1篇电导
  • 1篇多晶

机构

  • 9篇北京大学

作者

  • 9篇延涛
  • 8篇张国艳
  • 8篇黄如
  • 7篇张兴
  • 5篇廖怀林
  • 4篇刘军华
  • 4篇宋睿丰
  • 4篇周毅
  • 4篇杨利
  • 2篇王阳元
  • 1篇王凝华
  • 1篇石浩

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 4篇2007
  • 4篇2005
  • 1篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
SOC硅衬底的加工方法
本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，...
杨利张国艳廖怀林周毅宋睿丰延涛刘军华黄如张兴
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双沟道积累型变容管及其制造方法
本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、栅氧一、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二；接着在栅...
延涛张国艳黄如张兴
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实现射频压控振荡器频率粗调的装置
本发明公开了一种实现射频压控振荡器频率粗调的装置，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路中的电容为三端变容管，该三端变容管的两控制端分别接不同的控制电路。本发明与数字开关电容压控振荡器相比，本发明仅...
石浩张国艳廖怀林延涛王凝华黄如张兴王阳元
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射频平面螺旋集成电感的加工方法
本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引...
杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴
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双沟道积累型变容管及其制造方法
本发明公开了一种双沟道积累型变容管及其制造方法，所述的方法包括：按照制作单沟变容管的方法，制作下层沟道、第一栅氧化层、栅极、侧墙、源极、漏极，源漏注入后，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层第二栅氧化...
延涛张国艳黄如张兴
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高性能CMOS射频功率器件及功率放大器研究与实现
随着人们对无线通讯需求的不断增加，射频集成电路(RFIC)技术迅速发展，成为了集成电路产业新的增长点。在RFIC所采用的工艺技术中，RF CMOS具有成本和集成度方面的巨大优势，是未来无线通讯技术的发展趋势。而RFIC中...
延涛
关键词：射频集成电路CMOS工艺功率放大器
基于SOI的可变电容的特性分析被引量：1
2004年
提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响。在模拟中 ,还观察到了当栅氧厚度很薄时 ,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象。
延涛张国艳黄如王阳元
关键词：可变电容SOIISE
SOC硅衬底的加工方法
本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，...
杨利张国艳廖怀林周毅宋睿丰延涛刘军华黄如张兴
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射频平面螺旋集成电感的加工方法
本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引...
杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴
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