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张瑞康
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武汉邮电科学研究院
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相关领域:
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合作作者
余永林
华中科技大学光学与电子信息学院...
江山
武汉邮电科学研究院
王定理
武汉邮电科学研究院
张靖
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董雷
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2008
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准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制(英文)
2008年
对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.
张瑞康
董雷
王定理
张靖
陈磊
江山
余永林
关键词:
半导体激光器
可调谐激光器
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