王定理
- 作品数：20 被引量：20H指数：3
- 供职机构：光纤通信技术和网络国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制(英文)
- 2008年
- 对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.
- 张瑞康董雷王定理张靖陈磊江山余永林
- 关键词：半导体激光器可调谐激光器
- 采用纳米压印技术制作DWDM激光器的研究
- 2010年
- 适合DWDM系统应用的高性能DFB半导体激光器是现代光通信系统中发射机的核心光电子器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。目前,基于MOCVD设备的材料外延技术趋于稳定,高速器件封装技术也已经成熟,满足DWDM需求的DFB光栅的加工渐渐成为进一步降低成本的一个瓶颈。本文利用纳米压印技术制作DFB激光器光栅。结果表明,利用纳米压印技术制作出来的DFB激光器性能不逊于用EBL直接制作出的高性能激光器,不仅可以满足DWDM系统的要求,而且还具有生产效率高、成本低的优点。
- 刘文王磊周宁张义文邱飞徐志谋王定理李林松曹明德
- 关键词：DFB激光器纳米压印DWDM光通信
- 准一维电荷密度波导体蓝青铜的Peierls相变和非线性电输运性质研究
- 王定理
- 关键词：蓝青铜PEIERLS相变电荷密度波
- 超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
- 2004年
- 在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
- 常进张军王定理刘应军甘毅李林松黄晓东刘涛邬江帆
- 关键词：超辐射发光管放大自发辐射半导体激光器
- 用于分布反馈光栅的纳米压印模板制作被引量：2
- 2011年
- 高质量、低成本的压印模板的获得是采用纳米压印技术制作分布反馈光栅的难点,本文采用双层金属掩模及lift-off金属剥离方法制作了适用于紫外压印技术的石英基压印模板。首先,采用电子束光刻技术在镀钛的石英基片表面直写出DFB光栅的光刻胶图形,接着,在其表面溅射一层金属镍并进行金属剥离得到与光刻胶相对的图形,最后采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术将光栅图形转移到石英基片上,并对模板的表面进行了防粘连处理。所制作的DFB光栅压印模板周期为200nm,光栅中间具有λ/4相移结构,适用于1 310nm波长的相移型DFB半导体激光器光栅的制作。
- 王定理刘文周宁徐智谋
- 关键词：纳米压印
- 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板
- 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利...
- 刘文王定理周宁赵彦立徐智谋
- 文献传递
- SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究被引量：2
- 2008年
- 讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在30nm准连续调谐范围内边模抑制比都大于30dB.
- 董雷张瑞康王定理张靖陈磊江山赵圣之余永林刘水华
- 关键词：取样光栅
- 全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
- 与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
- 杨新民张哲民周宁王定理张军
- 关键词：光纤激光器光通信系统液相外延
- 文献传递
- 纳米压印技术及其在金属光栅偏振分束器和半导体激光器上的应用
- 微纳米加工技术是实现微纳米技术的基础,它导致了集成电路的集成度每18个月翻一番。但随着器件加工特征尺寸的不断缩小,光学曝光技术的极限分辨率受到所使用光源波长的限制,生产成本急剧增长,传统的加工技术已无法满足纳米技术发展的...
- 王定理
- 关键词：纳米压印半导体激光器
- 文献传递
- 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
- 2010年
- 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。
- 王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢
- 关键词：纳米压印半导体激光器干法刻蚀技术湿法腐蚀
