周宁
- 作品数：13 被引量：12H指数：2
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- 采用纳米压印技术制作DWDM激光器的研究
- 2010年
- 适合DWDM系统应用的高性能DFB半导体激光器是现代光通信系统中发射机的核心光电子器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。目前,基于MOCVD设备的材料外延技术趋于稳定,高速器件封装技术也已经成熟,满足DWDM需求的DFB光栅的加工渐渐成为进一步降低成本的一个瓶颈。本文利用纳米压印技术制作DFB激光器光栅。结果表明,利用纳米压印技术制作出来的DFB激光器性能不逊于用EBL直接制作出的高性能激光器,不仅可以满足DWDM系统的要求,而且还具有生产效率高、成本低的优点。
- 刘文王磊周宁张义文邱飞徐志谋王定理李林松曹明德
- 关键词：DFB激光器纳米压印DWDM光通信
- 用于分布反馈光栅的纳米压印模板制作被引量：2
- 2011年
- 高质量、低成本的压印模板的获得是采用纳米压印技术制作分布反馈光栅的难点,本文采用双层金属掩模及lift-off金属剥离方法制作了适用于紫外压印技术的石英基压印模板。首先,采用电子束光刻技术在镀钛的石英基片表面直写出DFB光栅的光刻胶图形,接着,在其表面溅射一层金属镍并进行金属剥离得到与光刻胶相对的图形,最后采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术将光栅图形转移到石英基片上,并对模板的表面进行了防粘连处理。所制作的DFB光栅压印模板周期为200nm,光栅中间具有λ/4相移结构,适用于1 310nm波长的相移型DFB半导体激光器光栅的制作。
- 王定理刘文周宁徐智谋
- 关键词：纳米压印
- 高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
- 1999年
- 采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。
- 杨新民李同宁刘涛周宁金锦炎李晓良
- 关键词：ALGAINAS应变多量子阱DFB激光器
- 全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
- 与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
- 杨新民张哲民周宁王定理张军
- 关键词：光纤激光器光通信系统液相外延
- 文献传递
- 窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器
- 周胜王彩玲梁蓉珍周宁王青林
- 关键词：光纤光栅半导体激光器
- 文献传递
- 窄线宽光纤光栅外腔半导体激光器
- 周胜王彩玲梁蓉珍周宁王青林
- 关键词：光纤光栅半导体激光器
- 文献传递网络资源链接
- 高稳定单纵模的1.55μm DFB激光器被引量：2
- 1992年
- 采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48％.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10％,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输.
- 董志江杨新民周宁马磐刘坚杨桂生
- 关键词：光纤通信DFB激光器
- 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
- 2010年
- 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。
- 王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢
- 关键词：纳米压印半导体激光器干法刻蚀技术湿法腐蚀
- 长波长高速、高线性量子阱DFB激光器
- 杨新民刘涛周宁王长虹黄涛金锦炎等
- 该激光器采用AlGaInAs材料和RWG结构、低失真耦合封装和预失真补偿技术，形成高功率和高线性的光发射模块。器件的主要技术指标：中心波长λP1310±10nm；阈值电流Ith≤25mA；输出功率Pf≥10mW；斜率效率...
- 关键词：
- 关键词：量子阱激光器光发射模块激光器
- 全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
- 与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
- 杨新民张哲民周宁王定理张军
- 文献传递
