杨新民
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：武汉邮电科学研究院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 长波长高速、高线性量子阱DFB激光器
- 杨新民刘涛周宁王长虹黄涛金锦炎等
- 该激光器采用AlGaInAs材料和RWG结构、低失真耦合封装和预失真补偿技术，形成高功率和高线性的光发射模块。器件的主要技术指标：中心波长λP1310±10nm；阈值电流Ith≤25mA；输出功率Pf≥10mW；斜率效率...
- 关键词：
- 关键词：量子阱激光器光发射模块激光器
- MOVPE生长1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器研究被引量：5
- 2002年
- 通过低压金属有机化学气相外延 (LP MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数 ,降低了材料中的氧杂质含量 ,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料 ,室温光致发光半宽FWHM =2 6meV。采用此外延材料成功制作了 1 3μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器 ,器件测试结果为 :激射波长 :12 90nm≤ λ≤ 1330nm ;阈值电流 :Ith(2 5℃ )≤15mA ;Ith(85℃ )≤ 2 5mA ;量子效率变化 :Δηex(2 5～ 85℃ )≤ 1 0dB。
- 马宏易新建金锦炎杨新民李同宁
- 关键词：ALGAINAS半导体激光器
- 高功率1.31μm AlGaInAs应变多量子阱DFB激光器
- 1999年
- 采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构，同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时，管芯最大输出功率超过５０ｍＷ，阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间，发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ，边模抑制比超过３５ｄＢ，室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。
- 杨新民李同宁刘涛周宁金锦炎李晓良
- 关键词：ALGAINAS应变多量子阱DFB激光器
- 全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
- 与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
- 杨新民张哲民周宁王定理张军
- 关键词：光纤激光器光通信系统液相外延
- 文献传递
- 光纤连接器的损耗谱特性被引量：1
- 1990年
- 本文从实验和理论上研究了光纤活动连接器的连接损耗与工作波长和轴向间隙的关系,对实验结果作了定量分析。
- 邹林森杨新民
- 关键词：光纤连接器连接损耗
- 高稳定单纵模的1.55μm DFB激光器被引量：2
- 1992年
- 采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48％.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10％,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输.
- 董志江杨新民周宁马磐刘坚杨桂生
- 关键词：光纤通信DFB激光器
- 全MOCVD生长InGaAsP/InP DCPBH-LD的制作技术及器件特性
- 与一整套具有全新概念的图形电极工艺技术相配合,采用全MOCVD生长工艺,我们制作了DC-PBH结构的1550nm波段DFB和SOA器件,并对器件特性进行了测试.测试结果显示:采用新工艺制作的DFB激光器的阈值电流较LPE...
- 杨新民张哲民周宁王定理张军
- 文献传递
- 2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件
- 1999年
- 本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。
- 李同宁金锦炎杨新民王彩玲刘涛黄涛王任凡吴又生罗毅文国鹏孙长征
- 关键词：集成光学多量子阱激光器DWDM系统
- 实用化1.55UM应变多量子阱分布式反馈激光器
- 沈坤周宁刘自力杨新民
- 该成果设计并开发出了调整1.55um应变量子阱DFB激光器组件，两种结构的DFB激光器组件均满足2.5Gb/s的调制速率。在2.5Gb/s速率调制下，DFB激光器的光眼图符合ITU-T有关标准，上升和下降时间可达100p...
- 关键词：
- 关键词：分布反馈激光器量子效应
- 1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作被引量：3
- 2002年
- 基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m
- 马宏易新建金锦炎杨新民李同宁
- 关键词：ALGAINAS致冷器
