张百强
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：济南大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 注氧隔离SOI材料的电离辐射效应研究
- SOI(Silicon-on-Insulator)即绝缘体上的硅材料，其结构通常为顶层硅-绝缘埋层-衬底硅。相对于传统的体硅材料，绝缘埋层的存在将SOI材料的顶层硅与衬底完全隔离，使得基于SOI技术的器件与电路具有功耗低...
- 张百强
- 关键词：改性处理离子注入工艺电离辐射效应
- 文献传递
- 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2
- 2013年
- 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征.结果表明,在大多数情况下,氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度,且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关.分析认为,注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱.另外,实验还观察到,在个别情况下,氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升.结合测量结果,讨论分析了该现象产生的原因.
- 张百强郑中山于芳宁瑾唐海马杨志安
- 关键词：注氮
