唐海马
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：济南大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1
- 2011年
- 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因.
- 唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝
- 关键词：注氧隔离注氮
- 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响被引量：2
- 2013年
- 为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适当的退火,对埋层进行改性.利用高频电容-电压(C-V)表征技术,对复合注入后的埋层进行了正电荷密度的表征.结果表明,在大多数情况下,氮氟复合注入能够有效地降低注氮埋层内的正电荷密度,且其降低的程度与注氮后的退火时间密切相关.分析认为,注氟导致注氮埋层内的正电荷密度降低的原因是在埋层中引入了与氟相关的电子陷阱.另外,实验还观察到,在个别情况下,氮氟复合注入引起了埋层内正电荷密度的进一步上升.结合测量结果,讨论分析了该现象产生的原因.
- 张百强郑中山于芳宁瑾唐海马杨志安
- 关键词：注氮
- Zn_(1-x)Co_xO纳米复合薄膜的磁特性被引量：1
- 2007年
- 用磁控溅射交替沉积和退火的方法制备了不同Co含量的ZnO纳米颗粒薄膜Zn1-xCoxO,并研究了其磁特性。发现室温下的比饱和磁矩随Co含量x(体积比)的减小而单调下降,矫顽力在x=0.5附近达到极大值。在温度从5 K升到50 K的过程中,磁矩迅速下降,50 K以上,磁矩基本不随温度变化。其原因是低温下,小的颗粒表现出铁磁性,随着温度升高至50 K,小颗粒变成超顺磁性,只有那些较大的颗粒才表现出磁性。
- 任妙娟唐海马赵鹏张军
- 关键词：纳米复合膜磁特性
- 注氧隔离SOI材料的抗总剂量辐照加固
- SOI(Silicon On Insulator)即绝缘体上的硅，是一种新型的硅基材料。用SOI材料制作的器件与电路相对于传统的体硅器件及电路而言，具有功耗低、速度快、集成度高、抗瞬时辐照能力强、无闩锁效应等优点，并可有...
- 唐海马
- 关键词：SOI材料硅基材料
- 文献传递
