曾乐勇
- 作品数：15 被引量：40H指数：4
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 二维点缺陷正方光子晶体的微腔结构被引量：12
- 2007年
- 通过平面波展开法对由Al2O3介质棒在空气背景介质中构成含有点缺陷的二维正方光子晶体微腔结构进行研究，计算得出缺陷态能带以及缺陷态模场分布。缺陷模对应的电磁波波长为470—476nm。对该微腔结构的品质因数的求解，得出缺陷态光谱曲线。在光谱曲线中，随着传输波长的增大，将产生几个峰值，并且在475nm处的波动最为明显，反映出在475nm附近的电磁波段在缺陷处的光强较大。进一步利用全矢量等效折射率法研究该结构缺陷模频率的稳定性，得出等效折射率的变化曲线。从等效折射率变化曲线可以看出，当传输波长达到475nm时，该结构已经达到稳定传输的区域。含缺陷模的二维光子晶体微腔结构在光子晶体发光二极管以及高阈值半导体激光器等方面有着重要的应用价值。
- 陈松王维彪梁静秋夏玉学雷达曾乐勇陈明
- 关键词：光子晶体点缺陷光子晶体微腔等效折射率
- 碳纤维衬底上定向碳纳米片阵列的制备被引量：2
- 2008年
- 以乙炔(C2H2)为碳源,N2为载气,二茂铁为催化前驱物,采用浮动催化法,在碳纤维衬底上制备了垂直定向的碳纳米片阵列。利用SEM,EDX和Raman光谱对所得产物进行了表征。结果表明经十二烷基磺酸钠(SDS)和二茂铁的丙酮溶液煮沸和浸泡处理后的碳纤维表面所生长的碳纳米片长度约为600 nm,宽度约为50 nm。Raman光谱分析表明所制备的碳纳米片为石墨结构。碳纤维的预处理不仅活化了表面,而且避免了催化剂向其内部的渗透和吸收。基于以上结果,碳纤维/碳纳米片在场发射领域很可能有重要的应用。
- 曾乐勇王维彪梁静秋夏玉学雷达赵海峰
- 关键词：碳纤维
- 一种背栅极冷阴极器件中纳米线表面电场的分析
- 2007年
- 利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：纳米线场发射
- 碳基纳米材料的制备、表征及场发射特性研究
- 以碳纳米管为代表的碳基纳米材料是目前研究最为广泛的一类新型功能材料，在纳米电子学、纳米材料学、纳米光学、纳米力学和纳米生物学等方面具有潜在的应用前景。实现碳基纳米材料的可控生长、表面修饰、功能剪裁、性能优化以及C/C复合...
- 曾乐勇
- 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究被引量：8
- 2007年
- 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
- 雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪
- 关键词：纳米线冷阴极场发射
- 纳米金刚石及其复合材料的制备和场发射
- 纳米金刚石是一种重要的场发射材料，因其具有很多优良的性质，在很多情况下具有很好的应用前景，故仍然一直受到研究者的关注。本文主要研究纳米金刚石及其复合材料的制备及场发射特性，探讨其应用前景。
- 王维彪梁静秋梁中翥曾乐勇夏玉学吕劲光秦玉新
- 栅极调制纳米线的场增强因子计算被引量：2
- 2009年
- 利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场,给出了场发射增强因子表达式β=1/2(3.5+L/r0+W),式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径,W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数.结果表明,纳米线长径比对场增强因子的影响很显著;当阴极与栅极间距较近时,场增强因子随d的增加而减小,而当栅极处于无穷远时,纳米线场增强因子的表示式变成β0=3.5+L/r0;栅孔半径越小,场增强因子就越大,当栅孔半径趋于零时,场增强因子为β=β0+1.202(L/d)3.
- 雷达王维彪曾乐勇梁静秋
- 纳米金刚石及其复合材料的制备和场发射
- 纳米金刚石是一种重要的场发射材料,因其具有很多优良的性质,在很多情况下具有很好的应用前景,故仍然一直受到研究者的关注。本文主要研究纳米金刚石及其复合材料的制备及场发射特性,探讨其应用前景。纳米金刚石及其复合材料主要采用C...
- 王维彪梁静秋梁中翥曾乐勇夏玉学吕劲光秦玉新
- 文献传递
- 用于绝对测辐射热计上的金刚石复合膜片及其制备方法
- 本发明涉及一种用于测量太阳辐射的绝对测辐射热计上的吸收辐射热交换片材，特别是一种用于绝对测辐射热计上的金刚石复合膜片及其制备方法。本发明用于绝对测辐射热计上的金刚石复合膜片，是由作为热沉材料的纯金刚石片层和作为光辐射吸收...
- 梁中翥梁静秋王维彪曾乐勇方伟
- 文献传递
- 栅极调制纳米线的场发射特性被引量：1
- 2009年
- 建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响。结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因子就越大,且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加;而当栅极电压等于零(或接近于零)时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著,栅孔半径越大,电场增强因子反而越大;电流密度在纳米线顶端边缘处最大,而且随着栅极电压的增加而呈指数增加。
- 雷达王维彪曾乐勇梁静秋
