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李星文

作品数:5 被引量:19H指数:2
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 2篇微结构
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇生产力
  • 1篇子线
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇量子线
  • 1篇氯气
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光诱导
  • 1篇半导体
  • 1篇
  • 1篇产力

机构

  • 5篇河北大学

作者

  • 5篇李星文
  • 3篇彭英才
  • 2篇娄建中
  • 2篇王英民
  • 1篇傅广生

传媒

  • 2篇河北大学学报...
  • 1篇河北学刊
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 2篇1992
  • 1篇1991
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高新科技转化为生产力的机制和动力
1992年
把科学技术转化为生产力,这是一个庞大的系统工程,涉及的理论问题很多,本文仅就其中核心的问题,科学技术转化为生产力的机制和动力问题略述意见如下。 一、发展生产力所需要的技术 我们通常把科学技术联在一起说,实际上,科学和技术并不是一回事。科学本身是有层次的,技术也可以分为不同的种类。科学的大层次有三个,即基础科学、应用科学、技术科学。技术科学在基础科学和应用科学研究所得到的理论和实验结果,所认识的客观规律的基础上,进行技术实现方法的研究,所以技术科学研究的结果往往能够形成可实用化的技术。
李星文
关键词:生产力
半导体超薄层微结构的外延生长技术被引量:9
1996年
半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。
彭英才王英民李星文傅广生
关键词:半导体
Ar^+激光诱导淀积多晶硅精细线条被引量:1
1992年
以聚焦的A_r^+激光束诱导多晶硅膜的淀积,在可移动的反应器上实现了宽度小于激光束径的多晶硅精细线条的直接书写。这可以视为VLSI的一种新的布线工艺的雏形。
王英民李星文李保通娄建中彭英才
关键词:多晶硅
A_r^+激光诱导氯气刻蚀硅
1991年
本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。
娄建中李星文王英民李宝通
关键词:刻蚀氯气激光
量子线与量子点微结构的选择生长制备技术被引量:11
1994年
本文介绍了用于制备量子线和量子点微结构的选择区域外延和精细束加工技术,并评述了今后研究与发展方向。
彭英才李星文
共1页<1>
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