王英民
- 作品数：5 被引量：11H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- Ar^+激光诱导淀积多晶硅精细线条被引量：1
- 1992年
- 以聚焦的A_r^+激光束诱导多晶硅膜的淀积,在可移动的反应器上实现了宽度小于激光束径的多晶硅精细线条的直接书写。这可以视为VLSI的一种新的布线工艺的雏形。
- 王英民李星文李保通娄建中彭英才
- 关键词：多晶硅
- 常压MOCVD法生长高质量GaAs薄膜的研究被引量：1
- 1990年
- 本文采用三甲基镓(TMG)和砷烷(AsH_3)作为源气体,用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在常压600～750°的温度范围内进行了GaAs薄膜的生长。研究了源气体流量和衬底温度对生长速率的影响。用扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱和Vanderauw法测量表明,这套系统生长的GaAs薄膜具有很高的质量。
- 王英民宋登元李宝通李星文
- 关键词：生长动力学MOCVD
- 半导体超薄层微结构的外延生长技术被引量：9
- 1996年
- 半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si外延等是在分子束外延和金属有机化学气相沉积基础上发展起来的几种新型超薄层外延技术。本文着重介绍了这些外延工艺的生长机理及其研究进展。
- 彭英才王英民李星文傅广生
- 关键词：半导体
- 激光诱导扩散制备硅压力传感器的扩散电阻
- 1989年
- 本工作尝试以掺硼乳胶源为扩散源,利用激光诱导扩散新技术,制备硅压力传感器的扩散电阻,探讨了激光诱导扩散的工艺条件,并从理论上讨论了实验结果。实验和分析都表明,使用这种杂质源和新的扩散技术扩散电阻,掺杂浓度均匀、P—N结横向漏电小、加工过程清洁,可以制备出性能良好的传感器的扩散电阻。
- 王英民宋登元
- 关键词：传感器激光诱导电阻
- 多峰I—V特性的共振隧穿量子器件
- 1993年
- 讨论了电子对双势垒共振隧穿的现象和特性,较为详细地论述了近年来发展起来的具有多峰I—V特性的共振隧穿量子器件的原理、结构和电路应用,最后展望了这类器件的发展前景。
- 宋登元王英民
- 关键词：存储器量子器件
