李海鸥
- 作品数：12 被引量：5H指数：1
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- 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
- 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金得到...
- 李海鸥尹军舰张海英和致经叶甜春
- 文献传递
- 适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统
- 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在n型重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属系统镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360～380摄氏度和较短的时间50～80秒内，于氮气气氛下...
- 李海鸥尹军舰张海英和致经叶甜春
- 文献传递
- 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺被引量：1
- 2006年
- 针对磷化铟（InP）基高电子迁移率晶体管（HEMT），进行了Ni／Ge／Au和Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au两种金属结构快速退火（10～40s）和长时间合金（10min）的实验．通过研究比较，得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法．利用Ni／Ge／Au／Ge／Ni／Au结构，在270℃下合金10min形成了典型值．0.068Ω·mm的接触电阻．
- 刘亮尹军舰李潇张海英李海鸥和致经刘训春
- 关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管欧姆接触合金传输线模型
- GaAs基单片集成InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs(英文)被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.
- 李海鸥张海英尹军舰叶甜春
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管增强型耗尽型阈值电压GAAS
- 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
- 一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长...
- 李海鸥尹军舰张海英叶甜春
- 文献传递
- 砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
- 一种砷化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料，其采用铟镓磷/铝镓砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，生长超晶格层作为缓冲层，然后在超晶格层上顺序生长：铝镓砷层、铟镓砷层、铝镓砷层、平面掺杂层、铝镓砷层、铟...
- 李海鸥尹军舰和致经张海英叶甜春
- 文献传递
- 砷化镓基增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管栅制作工艺
- 一种砷化镓基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)栅制作工艺，是在一种九层结构的砷化镓基增强/耗尽型PHEMT器件材料上制作晶体管栅，其采用分步制作增强/耗尽型栅技术：第一步，采用湿法腐蚀得到增强型栅槽...
- 李海鸥张海英尹军舰叶甜春和致经
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- InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量：1
- 2005年
- 对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。
- 李潇张海英李海鸥尹军舰刘亮陈立强
- 关键词：磷化铟低温合金欧姆接触
- 铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
- 一种铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，其采用铟镓磷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝...
- 李海鸥尹军舰张海英叶甜春
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- 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型被引量：1
- 2006年
- 针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integratedsystemsengineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道,而在靠漏端高电场区域,电流主要分布在InP沟道,电流在InGaAs与InP沟道中的分配比例随着栅压的变化而变化,从而验证了新模型的正确性.
- 李潇刘亮张海英尹军舰李海鸥叶甜春龚敏
- 关键词：高电子迁移率晶体管复合沟道物理模型磷化铟
