杜树成
- 作品数：11 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科技新星计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程航空宇航科学技术更多>>
- X射线反射率的讨论被引量：2
- 2006年
- 根据菲涅耳公式推导出X射线和可见光的反射率公式,计算了反射率随入射角的变化曲线.对X光导管的传输效率在反射率有无近似条件下的计算结果作了比较.
- 李玉德林晓燕杜树成
- 关键词：反射率全反射
- 用于DOA测量的闭合环天线研究
- 2012年
- 开发能够直接响应电磁波到达方向的天线元件将可以简化天线阵列结构.采用一定的输出电路使环天线成为一个电单极子环天线,实验表明:该电单极子环天线的输出仅与极化作用有关,并且入射方向是影响该环天线输出的一个独立因素.这一特点使得电单极子环天线可以直接响应电磁波到达方向,这将有助于减少阵列中传感元件的数量,而且传感元件也不必共点放置,从而能减小元件之间的互耦.
- 赵嘉功陈洁张涛杜树成苏颖
- 关键词：环天线极化作用
- 带隔离环光电晶体管工作原理的简单分析及全离子注入锗光电晶体管
- 为了研制适合光纤通信用、工作在波长为1.55μm的光电探测器.该文对于采用锗材料研制适合光纤通信用光电晶体管作了一些初步的工作.
- 杜树成
- 关键词：离子注入光电三极管
- 文献传递
- 注入光敏器件工作原理的模拟与分析
- 2000年
- 通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
- 杜树成席丽霞
- 关键词：光电探测器注入光敏器件半导体器件
- 硅低速刻蚀和钨膜刻蚀研究
- 2001年
- 针对半导体器件研制过程中等离子体刻蚀工艺的具体需要 ,研究了硅的低速率刻蚀和钨薄膜的刻蚀 .得到了加磁场条件下刻蚀速率与刻蚀气体流量、射频功率的关系曲线 .得到了不加磁场时不同刻蚀气体流量下钨的刻蚀速率 ,以及在刻蚀气体中掺杂不同比例氧气时硅的刻蚀速率 .对上述结果加以简单的讨论并给出了符合工艺要求的刻蚀条件 .
- 杜树成刘超姬成周李国辉
- 关键词：硅半导体器件
- 大气层结构与再入飞行器黑障现象简介被引量：1
- 2014年
- 简单介绍了地球大气层的结构;简单介绍了再入飞行器解黑障问题现象、机理以及一些减缓或克服黑障问题的的方法。
- 杜得生杜树成
- 关键词：再入飞行器
- 新结构端面入射条形X射线探测器的研究
- 选择高阻N型<100>单晶硅材料,X射线探测器为PIN管结构.为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区,以减少器件的暗电流.通过对比实验发现,当N区的注入量增大时,在相同反向偏压...
- 谢凡北京师范大学低能核物理研究所(北京)杜树成韩德俊
- 关键词：X射线探测器暗电流密度半导体材料
- 文献传递
- 全离子注入锗光电晶体管的研制
- 2001年
- 采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W-
- 杜树成于理科姬成周李国辉
- 关键词：锗离子注入光电晶体管半导体材料锗晶体管
- 带保护环结构的条形X光阵列探测器被引量：7
- 2003年
- 研究了带有保护环结构的条形 X光阵列探测器 ,结果表明 ,保护环的存在不仅降低了表面漏电 ,而且抑制了耗尽区的侧向扩展 .厚度为 30 0 μm的探测器样品 ,切割后的“死区”长度为 15 0 μm;环境温度为 18℃时 ,70 V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为 2 0 n A.
- 盛丽艳韩德俊张秀荣田晓娜王传敏杜树成谢凡王光甫
- 关键词：死区漏电流保护环
- Ｐ型欧姆接触在ＨＢＴ中的应用
- 廉德亮杜树成
- 关键词：砷化镓半导体器件欧姆接触半绝缘体
