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杨海峰

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子显微分析
  • 1篇砷化镓
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇显微分析
  • 1篇立方相
  • 1篇缓冲层
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇半导体
  • 1篇GAN
  • 1篇MGAL2O...
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇韩培德
  • 2篇张泽
  • 2篇杨海峰
  • 1篇滕学公
  • 1篇段树坤
  • 1篇周增圻
  • 1篇林耀望
  • 1篇李新峰
  • 1篇杨辉

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析被引量：2
1999年
运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列。
韩培德杨海峰杨辉林耀望张泽李新峰周增圻
关键词：砷化镓电子显微分析分子束外延
半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析被引量：1
1998年
运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。
韩培德杨海峰张泽段树坤滕学公
关键词：氮化镓缓冲层透射电子显微镜
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