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分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析被引量：2: 1999年; 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相ＧａＮ／ＧａＡｓ异质微观结构．在ＧａＮ外延层中，观察到大量的、不对称的｛１１１｝面缺陷（层错和微孪晶），以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列。; 韩培德杨海峰杨辉林耀望张泽李新峰周增圻; 关键词：砷化镓电子显微分析分子束外延

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1: 1997年; 提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”; 牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英; 关键词：量子线分子束外延 INGAAS 砷化镓

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李新峰