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林碧霞

作品数：51 被引量：443H指数：14
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 27篇理学
  • 20篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 17篇ZNO薄膜
  • 16篇发光
  • 15篇氧化锌薄膜
  • 11篇光谱
  • 11篇半导体
  • 10篇光致
  • 10篇光致发光
  • 8篇异质结
  • 7篇ZNO
  • 6篇氧化锌
  • 6篇禁带
  • 6篇光电
  • 6篇半导体材料
  • 4篇宽禁带
  • 4篇MOCVD
  • 4篇掺杂
  • 3篇导体
  • 3篇退火
  • 3篇紫外
  • 3篇结构特性

机构

  • 46篇中国科学技术...
  • 9篇中国科学院
  • 1篇贵州大学
  • 1篇合肥工业大学
  • 1篇德国汉堡大学

作者

  • 51篇林碧霞
  • 43篇傅竹西
  • 13篇朱俊杰
  • 7篇廖桂红
  • 6篇刘磁辉
  • 6篇谢家纯
  • 5篇段理
  • 5篇孙利杰
  • 4篇钟声
  • 4篇姚然
  • 4篇孙贤开
  • 4篇徐小秋
  • 4篇施朝淑
  • 3篇贾云波
  • 3篇邬小鹏
  • 3篇何一平
  • 2篇王晓平
  • 2篇郭俊福
  • 2篇张伟英
  • 2篇张国斌

传媒

  • 18篇发光学报
  • 6篇Journa...
  • 4篇物理学报
  • 3篇材料研究学报
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇第八届全国磁...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇物理
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇北京同步辐射...
  • 1篇第八届全国固...

年份

  • 7篇2008
  • 1篇2007
  • 7篇2006
  • 4篇2005
  • 10篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 6篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1991
  • 1篇1987
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性被引量：31
2001年
近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响 ;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较 ,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。
傅竹西林碧霞祝杰贾云波刘丽萍彭小滔
关键词：结构特性光致发光MOCVD发光特性
ZnO／SiC／Si异质结构的特性被引量：2
2006年
用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO／SiC／Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO／SiC／Si和ZnO／Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性．结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层．这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低．
段理林碧霞姚然傅竹西
ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：19
2004年
以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
关键词：ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性被引量：35
2001年
利用同步辐射真空紫外光研究了Si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带 ( 2 90nm) ,并初步指定其来源。
张国斌施朝淑韩正甫石军岩林碧霞Kirm MZimmerer G
关键词：光致发光氧化锌半导体
ZnO/SiC异质结的外延生长
本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.
朱俊杰林碧霞傅竹西
关键词：氧化锌薄膜宽禁带半导体材料MOCVD异质结
溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性被引量：21
2001年
近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料 ,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短 ,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度 ,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜 ,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱 ,研究了发光与薄膜晶体结构 ,以及发光与激发电子束流的关系等。
林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
关键词：氧化锌光致发光光谱发光特性
LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响被引量：19
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO SiC Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.
孙贤开林碧霞朱俊杰张杨傅竹西
关键词：氧化锌薄膜拉曼光谱
Ｆｅ－Ｎｉ－Ｂ系列超微粉的制备与特性
林碧霞黄允兰
关键词：超细粉含铁合金镍合金磁性
氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性被引量：21
1999年
用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ 薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ ）发射，随着薄膜单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ ），并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ ）；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ 中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ 的激子跃迁．实验结果说明。
傅竹西林碧霞郭常新廖桂红
关键词：氧化锌半导体薄膜
ZnO∶Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响被引量：4
2004年
在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中 ,通过合适选取溅射时氧氩的压力比 ,可以显著提高所得n ZnO p Si异质结的光生短路电流 ,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响 ,从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力。即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜 (这里为ZnO∶Al)中 ,改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显。通过实验 ,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变 ,使得载流子浓度变化而导致的结果。在氧氩压力比约为 1∶3时 。
段理林碧霞朱俊杰汪进张国非傅竹西
关键词：氧化锌薄膜异质结本征缺陷光电效应
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