傅竹西
- 作品数：84 被引量：551H指数：15
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- ZnO/SiC异质结的外延生长
- 本文利用MOCVD高温反应室系统,在Si衬底上先外延6H-SiC薄膜,然后在低温反应室以6H-SiC/Si为衬底,外延高质量的ZnO薄膜,并对薄膜的性质作相应的研究.
- 朱俊杰林碧霞傅竹西
- 关键词：氧化锌薄膜宽禁带半导体材料MOCVD异质结
- 文献传递
- 溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性被引量：21
- 2001年
- 近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料 ,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短 ,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度 ,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜 ,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱 ,研究了发光与薄膜晶体结构 ,以及发光与激发电子束流的关系等。
- 林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
- 关键词：氧化锌光致发光光谱发光特性
- 退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响被引量：2
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶方法,在6H-SiC衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明薄膜是c轴取向的,具有六方纤锌矿多晶结构。研究了退火温度对ZnO薄膜发光特性的影响。发现在650℃退火温度下,观察到近带边紫外发射和可见光发射并且紫外发光强度大于可见光发射。随着退火温度的提高,紫外峰强度减弱直至消失,而绿光发射强度先增加而后降低。对退火温度引起ZnO薄膜发光性质改变的机制进行了探讨。
- 郑海务孙利杰张杨张伟风顾玉宗傅竹西
- 关键词：6H-SICZNO薄膜光致发光溶胶-凝胶
- 半导体激光器综合特性测试仪的研制
- 1990年
- 随着光电子学的发展,半导体激光器的应用越来越广泛,很多高等院校也相继开出了半导体激光器的教学实验。为深入研究半导体激光器的性质,必须针对其特性参数的特点,建立多种测试系统,这不仅占用大量设备和场地,而且手续较繁。近年来我校研制的半导体激光器综合特性测试仪可实现多种参数的综合测量,不仅简化了测试手续,同时减少了重复使用的仪器,做到一机多用,对教学和科研都获得良好的效果。
- 傅竹西
- 关键词：半导体激光器测试仪
- Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较被引量：5
- 2006年
- 采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0·49%变为-0·16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.
- 王坤姚淑德丁志博朱俊杰傅竹西
- 关键词：高分辨X射线衍射
- MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究
- 2008年
- 以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底低温下成功生长出高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射、原子力显微镜、光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度、载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对薄膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结晶性能最佳,但发光性质不如200℃生长的样品。随载气流量从1.2～2.0slm增加的过程中,薄膜的结晶和发光性能逐渐提高。此外合适的源流量对薄膜质量的提高起到关键作用。
- 钟泽苏剑锋舒姮陈小庆傅竹西
- 关键词：化合物半导体MOCVD水汽ZNO
- 退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响
- 2010年
- 采用直流反应溅射法在P-Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD测量表明ZnO为沿c轴高度取向的多晶薄膜,I-V特性曲线表明,ZnO/Si异质结具有明显的整流特性。研究了退火温度对异质结光电转换特性的影响,结果显示,合适的退火温度能显著增大异质结的开路电压和短路电流,进而增大异质结的光电转换效率,经400℃退火后异质结获得最佳的转换效率。当退火温度达到或超过500℃时,异质结的反向电流迅速增加,光生电压和光生电流大幅度减小。通过对ZnO薄膜结构和电学性质的测量和分析,推测异质结的光电转换特性改变主要受ZnO薄膜的电学性质影响。
- 张伟英刘振中赵建果傅竹西
- 关键词：退火温度光伏效应
- Ag-S共掺杂ZnO薄膜的光电性质研究
- 氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平整致密的ZnO薄膜。XPS测试证实了Ag...
- 孙利杰邬小鹏徐小秋林碧霞傅竹西
- 关键词：同质结光电性质氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- 退火温度对掺氮ZnO薄膜结构和光电特性的影响被引量：1
- 2008年
- 采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮ZnO薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为ZnO:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与No受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的No受主能级位置.
- 钟声徐小秋孙利杰林碧霞傅竹西
- 关键词：热氧化XPS
- MOCVD系统外延生长Ⅲ－Ⅴ族化合物时Ⅴ／Ⅲ比的计算偏差
- 1994年
- 本文分析了在生长Ⅲ－Ⅴ族半导体时ＭＯＣＶＤ系统中反应气体的输运过程，认为进入反应室的Ⅲ族元素有机金属反应气体的数量是与ＭＯＣＶＤ管道系统的结构以及反应气体的扩散系数有关的，并从理论上导出了计算公式．由于ＭＯＣＶＤ系统中Ⅲ族元素反应气体的输运特点，实际的Ⅴ／Ⅲ比通小于根据目前方法所计算出的数值．此结果不仅说明生长时的Ⅴ／Ⅲ比高于固态组份比的一种原因，同时也可以解释为什么在生长同种材料时，不同研究者所报导的Ⅴ／Ⅲ比不同．这一结果有利于找出生长时的Ⅴ／Ⅲ比与固态组份间的确定关系．
- 傅竹西林碧霞
- 关键词：MOCVD
